- 商品
- 详情
供应新批次 FKL3103 Fet东沅 P沟道MOS管 原厂原装
- ¥0.01 ≥5000PCS起批
- 低栅极电荷产品特性
- Fet/东沅品牌
- FKL3103型号
东沅（Fetek）FKL3103，P沟道30V快速开关MOSFET，封装SOT223
深圳市科瑞芯电子有限公司常备料！欢迎致电咨询！！！
产品说明
Electrical Characteristics (TJ=25 ℃, unless otherwise noted)
● Drain-Source Breakdown Voltage: -30V
● Temperature Coefficient Reference: -0.022V/℃
● Static Drain-Source On-Resistance
VGS=-10V , ID=-5A: 26~32mΩ
VGS=-4.5V , ID=-4A: 36~45mΩ
● Gate Threshold Voltage: -1.0V -1.5V -2.5V
● Temperature Coefficient: 4.6mV/℃
● Drain-Source Leakage Current
VDS=-24V , VGS=0V , TJ=25℃: -1uA
VDS=-24V , VGS=0V , TJ=55℃: -5uA
● Gate-Source Leakage Current: ±100nA
● Forward Transconductance: 17S
● Gate Resistance: 13~26Ω
● Total Gate Charge : 12.6~17.6nC
● Gate-Source Charge: 4.8~6.7nC
● Gate-Drain Charge: 4.8~6.7nC
● Turn-On Delay Time: 4.6~9.2ns
● Rise Time: 14.8~26.6ns
● Turn-Off Delay Time: 41~82ns
● Fall Time: 19.6~39.2ns
● Input Capacitance: 1345~1883pF
● Output Capacitance: 194~272pF
● Reverse Transfer Capacitance: 158~221pF
Diode Characteristics
● Continuous Source Current: -5.8A
● Pulsed Source Current: -24A
● Diode Forward Voltage: 1.2V
● Reverse Recovery Time: 16.3nS
● Reverse Recovery Charge: 5.9nC
产品规格书（部分），如需PDF文档请QQ索要或电话联系
科瑞芯电子秉持[追求品质、专*业诚信、持续创*新]的理念，为客户提供工业标品质、低成*本的半导体件，提供专*业技术支援及完*整的解决方案。持续追求、不断创*新以及提供更佳更广的准、高服务，协助客户及厂商提高竞争能力，致力于成为电子半导体通路商之一。
在线问
- 低栅极电荷
- Fet/东沅
- FKL3103
- SOT223
- 24+
- 参考规格书
- -30V
- 5.8A
- 32mΩ
- ±20V
- 12.5nC
- 34ns
- 参考规格书
- 参考规格书
- -55 to 150℃
- 参考规格书
- 汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 物联网IoT、 可穿戴设备
- 80000
- 1186670662
- 代理
- 原厂
- 全国
