半导体分立器件测试系统
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CNAS实验室
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半导体分立器件测试系统
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碳化硅器件浪涌电流测试系统
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晶体管直流参数测试仪
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晶体管直流参数测试系统
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主要技术参数
IGBT开关特性测试
开关时间测试条件
Ic：1A~1000A Vce：5V~3500V(可扩展）
Vgs：-10V~+20V Rg：1R~100R可调（可选择4档及外接）
负载：感性负载阻性负载可切换
电感范围：100uH，200uH，500uH，1000uH
电阻范围：0.5R、1R、2R、4R
IGBT开关特性测试参数
开通延迟td（on）：20nS-10uS
上升时间tr：20nS-10uS
开通能量Eon：0.1-1000mJ
关断延迟时间td（off）：20nS-10uS
下降时间tf：20nS-10uS
关断能量Eoff：0.1-1000mJ
二极管反向回复特性测试
FRD测试条件：
正向电流IF：1A~1000A
反向电压Vr：5V~3500V
-di/dt：100A/us~10000A/us
负载：感性负载可选
电感范围：100uH、200uH、500uH、1000uH
FRD测试参数
反向恢复时间trr：20nS-2uS
反向回复电荷Qc：10nC~10uC
反向恢复电流lrm：1A~1000A
反向恢复损耗Erec：0.1mJ~1000mJ
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