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1. 设备名称： 霍尔效应测试仪
2. 功能描述： 测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数
3-1 测试范围： Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数
3-2 磁场：
3-2-1 磁场强度： 0.45T 永磁体
3-2-2 磁场类型： 永磁体
3-2-3 磁场均匀性： 磁场不均匀性＜±1 % 10年内磁场变化＜±0.2% 3-3 温 度：
3-3-1 温度区域： 77K(液氮温度)或室温
3-4 电阻率范围： 1 μ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm
3-5 电阻范围： 0.1 m Ohms ~10 G Ohms
3-6 载流子浓度： 107~1021cm-3 3-7 迁移率： 10-2~107 cm2/volt*sec
3-8 输入电流：
3-8-1 电流范围： 1000 pA~10mA
3-8-2 电流解析度： 2.5 pA (lowest range)
3-8-3 电流精度： 2%
3-9 输入电压：
3-9-1 电压范围： ±10V 3-9-2 电压分辨率： 1μV
4. 仪器特点：
4-1 Automatic contact check 自动接触检查(欧姆接触)
4-2 Routine and enhanced software 常规和增强软件
4-3 Differential resistivity measurements by I/V-curves I/V曲线测试电阻率差异
4-4 Misalignment voltage compensation 失调电压补偿
4-5 Correction of slow sample drift voltage, especially for ZnO, 修正慢样品漂移电压，特别是氧化锌
4-6 Automatic field calibration 自动现场标定
4-7 Large concentration and resistivity range 大浓度和电阻率范围
4-8 Flexible, modular hardware 灵活的模块化硬件
4-9 Support of various magnets, for example BioRad HL 5200 支持多样磁场
4-10 Support of various temperature controllers 支持各种温度控制器(支持客户自行升级变温系统)
5 硬件
5-1 The standard system consists of a bench top electronic system, a small magnet and a sample stage for room temperature and LN2 measurements. 标准系统包含电子测试系统、磁场和两个温度区域的测试平台（室温和液氮温度）
5-2 The electronics include the current source, the voltage measurement part, the contact switching module and the IEEE or RS232 interface. It is completely micro processor controlled. 电子测试系统包括由单片机控制的电流源、电压测试、接触开关模块、IEEE或RS232接口
5-3 The contact switching module is designed to allow all possible measurement configurations. 接触开关模块支持所有用户用于其他的配置(用户可以采用制冷机做变温霍尔测试)
5-4 The current source has adjustable limits for voltage and/or power. {+++} 电流源具有可调电压和/或电源的限制
5-5 Voltage measurement provides different input amplifiers optimized for either low current or low voltage applications. 电压测量提供了不同的输入放大器或低电流或低电压应用的优化。
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