主要特性与技术指标 |
适合功率器件表征的综合解决方案,高达 1500 A 和 10 kV |
中等电流测量和高电压偏置(例如,500 mA,1200 V) |
μΩ 导通电阻测量功能 |
高电压偏置时,可进行***的 sub-pA 电平电流测量 |
在 -50 ℃ 至 +250 ℃ 温度范围内进行全自动热测试 |
广泛的器件测量功能 |
可在高达 3000 V 直流偏置时执行全自动电容测量(Ciss、Coss、Crss 等) |
10 μs 高功率脉冲测量 |
封装器件和晶圆上 IGBT/FET 栅极电荷测量 |
高电压/强电流快速切换选件,适用于 GaN 电流崩塌效应表征 |
多达 5 个高电压(3 kV)电源/测量通道,提供的灵活性 |
多达 5 个高电压(3 kV)电源/测量通道,提供的灵活性 |
改进的测量效率 |
在高电压和强电流测量之间自动切换,无需重新布线 |
自动测试电路形成,可用于封装器件和晶圆上器件的晶体管结电容(Ciss、Coss、Crss、Cgs、Cgd、Cds 等)测量 |
具有互锁机制的标准测试夹具,可进行封装功率器件测试 |
支持高达 200 A 和 10 kV 的高功率晶圆上测试 |
示波器视图支持对应用电压和电流波形的验证 |
MS Windows EasyEXPERT 软件简化了数据管理和分析流程 |
可升级和可扩展的硬件体系结构 |
广泛的测量模块选择 |
支持具有高达 6 个连接引脚的高功率器件 |