电子束光刻系统
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Electron Beam Lithography System(EBL)
电子束光刻系统
日本 CRESTEC 是世界上制造专业电子束光刻设备的知名厂商之一，其制造的电子束光刻机以其独特的专业技术，***的电子束稳定性，电子束定位精度以及拼接套刻精度赢得了世界上***科研机构以及半导体公司的青睐。其中 CABL 系列更是世界上***的产品之一。
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CRESTEC CABL 系列采用专业的恒温控制系统，使得整个主系统的温度保持恒定，再加上主系统内部精密传感装置，使得电子束电流稳定性，电子束定位稳定性，电子束电流分布均一性都得到了***的提高，其性能指标远远高于其它厂家的同类产品，在长达 5 小时的时间内，电子束电流和电子束定位非常稳定，电子束电流分布也非常均一。
由于 EBL 刻写精度很高，因此写满整个 Wafer 需要比较长的时间，因此电子束电流，电子束定位， 电子束电流分布均一性在长时间内的稳定性就显得尤为重要，这对大范围内的图形制备非常关键。
CRESTEC CABL 系列采用其***的技术使其具有极高的电子束稳定性以及电子束定位精度，在大范围内可以实现图形的高精度拼接和套刻。
Stitching accuracy | 50nm (500μm sq., μ+ 3σ)
20nm (50μm sq., μ+ 2σ) |
Overlay accuracy | 50nm (500μm sq., μ+ 3σ)
20nm (50μm sq., μ+ 2σ) |
Stitching accuracy for slant L&S ＜10nm
该图是在 2 英寸 wafer 上，采用 50 um 的图案进行拼接，写满整个片子，其拼接精度低于 10 nm.（实验室数据）。
CRESTEC CABL 系列还可以加工制备 10 nm 以下的线条，无论半导体行业还是在其它领域
CRESTEC 的电子束光刻产品都发挥了巨大的作用。
主要特点：
1.采用高亮度和高稳定性的 TFE 电子枪
2.***电子束偏转控制技术 3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达 0.0012nm
4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达 0.01mrad
5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、***器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。
电子束光刻 CABL-9000C 系列最小线宽可达 8nm，最小束斑直径 2nm，套刻精度
20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。
技术参数： 1.最小线宽：小于 10nm（8nm available) 2.加速电压：5-50kV
3. 电 子 束 直 径 ： 小 于 2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸：4-8 英寸(standard)，12 英寸(option)
7.描电镜分辨率：小于 2nm
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产品参数
- 电子束光刻
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- 日本 CRESTEC
- CRESTEC CABL 系列
- EBL 刻写精度很高，因此写满整个 Wafer 需要比较长的时间，因此电子束电流，电子束定位， 电子
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