PICOSUN-原子层沉积系统ALD
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ALD 原子层沉积系统R-200
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PICOSUN原子层沉积系统ALD R-200高级版
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PICOSUN原子层沉积系统ALD R-200系列
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Panasonic Plasma Dicing 松下等离子切割设备
Plasma Dicer APX300
Plasma Dicer APX300
松下APX300是一款专为高附加值硅基芯片和小型芯片开发的等离子切割设备，与传统机械切割设备相比，具有切割效***、wafer无损伤、wafer利用***等特点。
应用领域：高性能传感器/储存器、物联网等领域具有微小、轻薄、易碎、需要清洁等特点的wafer切割，例如：low-k wafer（易碎）、3D/TSV芯片（轻薄）、图像传感器（清洁度要求高）、MEMS（易碎）、RFID芯片（微小）。
等离子切割设备的应用领域
产品优势：
1. 无损伤，切口整齐平整，无杂质碎屑，在电镜下观测形貌无损伤。
等离子切割与传统机械切割在硅片断裂形式上的不同
等离子切割与传统机械切割在切面形貌上更平整，且结构上无应力损伤
等离子切割后，芯片的抗弯强度提高并且数据分布更窄
2. wafer利用***、在小芯片切割上具有成本优势
切割道最小可达20μm，最多可提高30%的wafer利用率
整片一次性切割，芯片尺寸越小，单片效率越高
3. 采用无水工艺、可切割异形芯片
工艺介绍：
工艺一：光刻+等离子切割（多用于＜3mm晶片切割）
在表面涂覆光刻胶后进行曝光显影，形成分割好的mask层，然后进行等离子切割切断Si层。
工艺二：激光+等离子切割（多用于＞3mm晶片切割）
先在表面贴一层专用双层mask胶带（上层为保护层、下层为mask层），之后翻面进行背面减薄，翻面并揭掉上面保护层，然后用激光切割mask层和金属层/低介电层，之后再进行等离子切割切断Si层。
整个工艺配套：胶带、背减薄设备、光刻系统、激光器、层压、等离子切割、测试设备
设备基本参数：
设备型号 | APX300 |
等离子源 | ICP等离子体 |
加工用气体 | 4管道（标准） 6管道（可扩展，氯气、氟气、氩气、氧气、氦气等） |
晶圆尺寸 | 12寸 |
体积 | W 1,350 x D 2,230 x H 2,000（不包括触摸屏、操作系统和信号塔） |
重量 | 约2100Kg（具体数值取决于选择配件种类） |
供电 | 三相电、AC200/208/220/230/240V±10V，50/60Hz，21.00kVA |
气源 | 0.5-0.7 MPa，250 L/min (A.N.R.) |
氮气源 | 0.1-0.2 MPa，50 L/min (A.N.R.) |
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