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电子束曝光系统
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产品详情
电子束光刻系统
产品特点
1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪
2.***电子束偏转控制技术
3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达0.0012nm
4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad
5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs
产品参数
产品参数
1.最小线宽：小于10nm（8nm available)
2.加速电压：1-50kV
3.电子束直径：小于2nm
4.套刻精度：20nm(mean+2σ)
5.拼接精度：20nm(mean+2σ)
6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option)
7.描电镜分辨率：小于2nm
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