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1900nm红外高功率LED 30mW高功率 PA9T SMD封装
- ¥9.90 ≥1个起批
- 发光二极管产品类型
- Roithner Lasertechnik品牌
- SMB1N-1900D，SMB1N-1900D-02型号
1900nm波长，30mW高功率，PA9T SMD封装的Roithner发光二极管
2023年末，奥地利Roithner公司正式推出了1900nm的红外高功率LED，型号SMB1N-1900D和SMB1N-1900D-02。Roithner 高功率发光二极管 继承了Roithner发光二极管SMB1N系列的高功率、砷化镓芯片技术以及采用耐热聚酰胺 (PA9T) SMD封装，底座尺寸均为5x5mm。
SMB1N-1900D是一款基于InGaAsP的表面贴装高功率红外高功率LED，典型峰值波长为1900nm，光输出功率为27mW@1A。Roithner 高功率发光二极管采用聚酰胺树脂 SMD 封装 (PA9T)，带有镀银焊盘（可无铅焊接）、铜散热器和硅树脂模压平窗。SMB1N-1900D-02的光输出功率为30mW@1A。1900nm高功率LED SMB1N-1900D-02不仅采用聚酰胺树脂SMD封装(PA9T)，带有镀银焊盘（可无铅焊接）、铜散热器和硅树脂模制透镜，还可根据要求提供不同光束角度的其他变体。
Roithner LED SMB1N-1900D与SMB1N-1900D-02的区别是SMB1N-1900D-02含有透镜，从而导致其光束角为±9°，而SMB1N-1900D的光束角为±64°。
Roithner 1900nm LED的主要特点：
-红外高功率LED
-特定波长1900nm，光输出功率27mW（SMB1N-1900D）或30mW（SMB1N-1900D-02）
-砷化镓芯片（InGaAs chip），1x1mm
- PA9T SMD 封装
-光束角±64°（SMB1N-1900D）或±9°（SMB1N-1900D-02）
1900nmLED发光二极管的额定值*：
参数 | 符号 | 最小值 | 值 | 单位 |
功率耗散 | PD | 1600 | mW | |
正向电流 | IF | 1000 | mA | |
脉冲正向电流** | IFP | 2000 | mA | |
反向电压 | UF | 2 | V | |
热阻 | RTHJA | 10 | K/W | |
结温 | TJ | 120 | °C | |
工作温度 | TCASE | -40 | +85 | °C |
存储温度 | TSTG | -40 | +100 | °C |
引线焊接温度 (tmax.5s) | TSLD | +250 | °C |
*接近或超过这些参数的操作可能会损坏设备
**占空比=1%，脉冲宽度=10μs
1900nm高功率LED电子光学特性（TCASE = 25°C）：
参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 值 | 单位 |
峰值波长 | λP | IF=1 A | 1850 | 1950 | nm | |
半宽 | λΔ | IF=1 A | 120 | nm | ||
正向电压 | VF | IF=1 A | 1.2 | 1.6 | V | |
VFP | IFP=2 A* | 1.6 | ||||
总辐射功率 | PO | IF=1 A | 18 | 27 | mW | |
IF=2 A* | 47 | |||||
辐射强度 | IE | IF=1 A | / | mW/sr | ||
IF=2 A* | / | |||||
视角 | 2θ1/2 | IF=100 Ma | 128 | deg. | ||
上升时间 | tr | IF=1 A | 90 | ns | ||
下降时间 | tf | IF=1 A | 30 | ns |
*占空比=1%，脉冲宽度=10μs
1900nmLED发光二极管的外形尺寸：
红外高功率Roithner LED典型性能曲线：
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