◆性能特点
1、纳米碳化硅粉体具有纯度高、粒径分布范围小、高比表面积等特点；
2、本产品具有化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好等特点；
3、显微硬度为2840～3320kg/mm2,其硬度介于刚玉和金刚石之间,机械强度高于刚玉；
4、纳米碳化硅具有优良的导热性能，还是一种半导体，高温时能抗氧化。
◆纳米碳化硅粉体技术指标
技术指标 | 外观 颜色 | 纯度 | 平均 粒度 | 晶型 | 比表 面积 | Zeta 电位 | 松装 密度 |
纳米碳化硅 | 灰绿色 | >99.0% | 60nm | 立方 | 21m2/g | -27.8mV | 0.05g/cm3
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◆产品电镜图
◆贮存条件
本品应储藏于阴凉、干燥室内，未经表面处理的粉体，使用过程中不宜暴露空气中，以免吸湿团聚，影响分散性能和使用效果，另应避免重压。
◆产品用途
SiC一维纳米材料由于自身的微观形貌和晶体结构使其具备更多独特的优异性能和更加广泛的应用前景，被普遍认为有望成为第三代宽带隙半导体材料的重要组成单元。SiC纳米材料具有高的禁带宽度，高的临界击穿电场和热导率，小的介电常数和较高的电子饱和迁移率，以及抗辐射能力强，机械性能好等特性，成为制作高频、大工率、低能耗、耐高温和抗辐射器件的电子和光电子器件的理想材料。SiC纳米线表现出的室温光致发光性，使其成为制造蓝光发光二极管和激光二极管的理想材料。近年来的研究表明：微米级SiC晶须已被应用于增强陶瓷基、金属基和聚合物基复合材料，这些复合材料均表现出良好的机械性能，可以想象用强度硬度更高及长径比更大的SiC一维纳米材料作为复合材料的增强相，将会使其性能得到进一步增强。SiC一维纳米材料具有[1]阈值场强低，电流密度大，高温稳定性好等优异特点可望作为电场发射材料，利用这一特性可制成第三代新型电子光源，并将在图像显示技术方面发挥巨大作用。随着研究的深入，研究者还发现一维SiC纳米结构在储氢、光催化和传感等领域都有广泛的应用前景。
