四探针测试仪原理

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四探针测试仪原理

半导体的电阻率在1mΩ·cm~1GΩ·cm范围(上限按谢嘉奎《电子线路》取值，还有取其1/10或10倍的;因角标不可用，暂用当前描述)。在一般情况下，半导体电导率随温度的升高而减小，这与金属导体恰好相反。

凡具有上述两种特征的材料都可归入半导体材料的范围。

反映半导体材料内在基本性质的却是各种外界因素如光、热、磁、电等作用于半导体而引起的物理效应和现象，这些可统称为半导体材料的半导体性质。构成固态电子器件的基体材料绝大多数是半导体，正是这些半导体材料的各种半导体性质赋予各种不同类型半导体器件以不同的功能和特性

适用范围Widely used：

1.覆盖膜;导电高分子膜，高、低温电热膜;隔热、防辐射导电窗膜导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸;金属化标签、合金类箔膜;熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜;电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试

2.硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件，导电薄膜（ITO导电膜玻璃等），金属膜，导电漆膜，蒸发铝膜，PCB铜箔膜，

3.EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率导电性油漆，导电性糊状物，导电性塑料，导电性橡胶，导电性薄膜，金属薄膜，

4.抗静电材料， EMI 防护材料，导电性纤维，导电性陶瓷等，

功能描述Description：

1. 四探针单电测量方法

2. 液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.

3. 高集成电路系统、恒流输出.

4. 选配：PC软件进行数据管理和处理.

5. 提供中文或英文两种语言操作界面选择

满足标准：

1.硅片电阻率测量的***（ASTM F84）.

2.GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》.

3.GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》.

4.GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》.

型号及技术参数Models and technical parameters

规格型model	FT-331	FT-332	FT-333	FT-334	FT-335	FT-336
1.方块电阻范围Sheet resistance	10-5～2×105Ω/□	10-4～2×105Ω/□	10-3～2×105Ω/□	10-3～2×104Ω/□	10-2～2×105Ω/□	10-2～2×104Ω/□
2.电阻率范围Resistivity	10-6～2×106Ω-cm	10-5～2×106Ω-cm	10-4～2×106Ω-cm	10-4～2×105Ω-cm	10-3～2×106Ω-cm	10-3～2×105Ω-cm
测试电流范围 Test current	0.1μA ，1μA，10μA，100µA，1mA，10mA，100mA	10μA，100µA，1mA，10mA，100mA	0.1μA ，1μA，10μA，100µA，1mA，10mA，100mA	10μA，100µA，1mA，10mA， 100mA	0.1μA，1μA，10μA，100µA，1mA，10mA，100mA	1μA，10μA，100µA，1mA，10mA，100mA