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HY1106S增强型场效应管SOP8封装微碧原装60V12A贴片MOS管N沟道

¥1.90 10 - 99
¥1.86 100 - 499
¥1.82 ≥500

参数

VBsemi/微碧半导体品牌
HY1106S型号
N沟道类型

发货地广东深圳不限

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产品详情

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产品参数

品牌VBsemi/微碧半导体
型号HY1106S
类型N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)12A
功率(Pd)
导通电阻12mΩ@10V,14mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.8Vth(V)
栅极电荷(Qg@Vgs)
输入电容(Ciss@Vds)
反向传输电容(Crss@Vds)
工作温度
封装/规格SOP-8
包装编带
认证机构
最小包装量2500
产品特性大功率
封装SOP-8
包装方式编带
数量10000
芯片台积电
工艺长电封测代工
安装方式表面贴片
产品保证原装
批号23+
FET类型增强型
产地中国
可售卖地全国

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