mos管原理 输入电容小 IXFN210N30P3
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功率mos管 开关速度快 IXFN25N90
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mos管参数 可控性强 IXFN52N100X
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mos管导通 可靠性高 IXFN55N50
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mos场效应管 体积小 IXFN140N20P
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MOS管的工作原理是通过改变金属栅与半导体衬底之间的电场强度来控制电流的流动。当栅电压变化时，电场强度也会发生变化，从而改变导电区的电荷密度和电阻，从而控制电流的流动。
MOS管是一种金属氧化物半导体场效应管，也称为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）。它是一种三端器件，由源(S)、漏(L)和栅(G)三个电组成。
MOS管的工作原理是通过改变栅电上的电场，来控制源漏间的电流。MOS管的主要结构包括：P型衬底、N型沟道、P型源、P型漏、金属栅和氧化物层。其中，金属栅和氧化物层一起构成了栅结构，被称为MOS结。
CMOS是一种由P型和N型MOSFET组成的互补结构。它由一对互补的MOSFET组成，可以实现低功耗、高集成度和高速度的逻辑电路。
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