美高森美APT29F80J 低噪声
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IXFN52N90P 功耗低
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IXFN72N55Q2 应用广泛
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IXFN56N90P 高输入阻抗
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IXFN62N80Q3 可靠性高
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IXFN180N10 体积小
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MOS管，全称金属氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一种常用的场效应管。它由金属、氧化物和半导体材料构成，基本结构为金属栅、氧化物绝缘层和半导体衬底。
MOS管具有低电压、低功耗、高输入阻抗、高速开关、可靠性好等优点，因此广泛应用于电子电路中的功率放大、开关控制、信号调理、数字逻辑等领域。
MOS管是一种金属氧化物半导体场效应管，也称为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）。它是一种三端器件，由源(S)、漏(L)和栅(G)三个电组成。
MOS管由金属栅、氧化物绝缘层和半导体材料组成。栅上的电压可以控制氧化物绝缘层下的电场，从而调节半导体中的电荷分布，控制电流的流动。
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