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德国 Behlke 具有固定导通时间的 MOSFET 开关，德国 Behlke 快速高压晶闸管开关 真正的栅极控制 ，德国 Behlke 高压开关 HTS 101-03 晶闸管开关 经销，德国 Behlke 高压开关DLC用于高压电子设备的直接液体冷却 经销，德国 Behlke 高压开关和脉冲器 经销，Behlke Power Electronics 总裁兼工程师是 Frank Behlke。Frank 从事电子设计已有 35 年多，30 年来他专攻脉冲电力电子和高压半导体堆栈。他是您在具有挑战性的项目中的个联系人。Frank 是模拟电子、脉冲电源、EMC 和实用电子设计方面的。八十年代初，他在几家高科技公司担任自由工程师。
Frank为非常不同的应用开发了许多用于电气和非电气测量、控制系统和开关模式电源的测量仪器。但他可能有趣的工作是1980年1987年在德国法兰克福大学和明斯特大学，当时他是一名私人雇用的电子工程师 Ing 教授 Franz Hillenkamp (†2014) 和 Michael Karas 教授因发明MALDI质谱仪而获得2002年诺贝尔化学奖提名，该质谱仪成为化学分析仪器标准。
Behlke 晶闸管开关可以在物理上可能的 di/dt 和 dv/dt 速率以及可能的峰值电流下安全运行，而不会出现任何可测量的预期寿命下降。Behlke 晶闸管开关是真正的栅极控制，不会从高压负载电路中汲取点火能量。这允许从几乎 0 V（提供足够的咬合电流）到工作电压的安全切换，而不受任何限制。开关的隔离范围少为工作电压的 150%，因此可以轻松实现开关应用。
具有固定导通时间的 MOSFET 开关 更多的
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Behlke 快速高压 MOSFET 开关 Behlke 快速高压 MOSFET 开关 Behlke 快速高压 MOSFET 开关
1) HTS 40-06，标准塑料外壳中的非常快速的 MOSFET 开关。固定导通时间，ton=100ns（50 ns - 100 µs 可选）4 kV，60 A pk，上升时间 <3 ns。2) HTS 150，MOSFET 开关。固定导通时间，ton=150ns（100 ns - 100 µs 可选）。带有高压尾纤 (PT-HV) 和高隔离电压 (***-40)。15 kV，30 A，tr <10ns。3) HTS 300，MOSFET 开关。固定导通时间，ton=200ns（100 ns - 100 µs 可选）。显示在标准塑料外壳中。30 kV，30 A，上升时间 <10ns。
产品组 B2 - MOSFET，固定导通时间，高 di/dt 和低阻抗 更多的
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Behlke 快速高压 MOSFET 开关 Behlke 快速高压 MOSFET 开关 Behlke 快速高压 MOSFET 开关
1) HTS 60-16，低杂散电感快速放电开关。固定导通时间，ton = 150ns。6 kV，160 A，tr <4ns @Ip(max)。PCB 的插针插座包含在交货中。2) HTS 80-16，低杂散电感快速放电开关。固定导通时间，ton = 150ns。8 kV，160 A，tr <5ns @Ip(max)。PCB 的插针插座包含在交货中。3) HTS 80-26，低杂散电感快速放电开关。固定导通时间，ton = 180ns。8 kV，260 A，tr <5ns @Ip(max)。PCB 的插针插座包含在交货中。
产品组 B3 - MOSFET、固定导通时间、高 di/dt 和超快 更多的
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Behlke 超快高压 MOSFET 开关 Behlke 超快高压 MOSFET 开关 Behlke 超快高压 MOSFET 开关
1) HTS 50-12-UF，低电感超快放电开关。固定导通时间，ton=200ns（10ns -1µs 可选）。5kV，120A，tr <2ns @Ip(max)。PCB 的插针插座包含在交货中。2) HTS 80-12-UF，低电感超快放电开关。固定导通时间，ton=200ns（10ns -1µs 可选）。8kV，120A，tr <3ns @Ip(max)。PCB 的插针插座包含在交货中。3) HTS 80-20-UF，低电感超快放电开关。固定导通时间，ton=200ns（20ns -1µs 可选）。8kV，200A，tr <4ns @Ip(max)。PCB 的插针插座包含在交货中。
产品组 B4- 沟槽 FET，固定导通时间，高电流，低导通电阻 更多的
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Behlke 快速高压 MOSFET 开关 Behlke 快速高压 MOSFET 开关 Behlke 快速高压 MOSFET 开关
1) HTS 60-65-B，新的沟槽 FET 技术，具有极低的导通电阻和高电流。固定导通时间，ton = 150ns。6.5 kV，650 A 峰压。上升时间 <10 ns @Ip(max) 2) HTS 170-160-B，新的 Trench FET 技术可实现极低的导通电阻和高电流。固定导通时间，ton = 200ns。17 kV，1600 A 峰值。上升时间 <15 ns @Ip(max)。单独的控制单元。3) HTS 330-160-B，新的沟槽 FET 技术，可实现极低的导通电阻和高电流。固定导通时间，ton = 250ns。33 kV，1600 A 峰值。上升时间 <18 ns @Ip(max)。单独的控制单元。
产品组 C1 - MOSFET 开关，导通时间可变，一般用途 更多的
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1) HTS 181-01-C，MOSFET 开关，紧凑型系列。可变导通时间从 50 ns 到。18 kV，12 A，上升时间 <15 ns。尺寸 79 x 38 x 25 毫米。选择。推荐使用 PT-HV（HV 尾纤）。2) HTS 151-0 2，MOSFET 开关，带选项 FC（扁平外壳）和标准连接器。可变导通时间从 50 ns 到。15 kVDC，25 A pk，上升时间 <8 ns。导通电阻 <30 Ohm。3) HTS 331-06，通用 MOSFET 开关，带选项 CF（散热片）、C-DR（驱动器冷却）和 HFS（高频开关）。33 kVDC，60 A。导通电阻 <33 欧姆。
德国 Behlke 具有固定导通时间的 MOSFET 开关
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