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主要PVD方法的特点：（3）溅射镀膜：在溅射镀膜过程中，溅射靶材需要安装在机台中完成溅射反应，溅射机台专业性强、精密度高，市场长期被美国、日本跨国集团垄断。（4）终端应用：1）半导体芯片：单元器件中的介质层、导体层与保护层需要钽、钨、铜、铝、钛等金属。2）平板显示器件：为了***大面积膜层的均匀性，提高生产率和降低成本，溅射技术镀膜需要钼，中国香港显示行业陶瓷靶材推荐厂家、铝、ITO等材料；3）薄膜太阳能电池——第三代，溅射镀膜工艺是被优先选用的制备方法，靶材是不可或缺的原材料；4）计算机储存器：磁信息存储、磁光信息存储和全光信息存储等，中国香港显示行业陶瓷靶材推荐厂家。在光盘，中国香港显示行业陶瓷靶材推荐厂家、机械硬盘等记录媒体，需要用铬基、钴基合金等金属材料。陶瓷靶材的制备工艺；中国香港显示行业陶瓷靶材推荐厂家
氧化铌靶材根据其镀膜工艺的不同分为平面靶材和旋转靶材两种,所需的氧化铌纯度均要求达到99.95%,但对氧化铌的物理性能指标要求不同。平面靶材的生产使用热压法,要求氧化铌粉末粒度细且均匀,成形性能好;旋转靶材采用热喷涂法生产,要求氧化铌具有良好的流动性及严格的粒度范围。旋转靶材是近些年新发展的一种靶材,与传统的平面靶材相比,旋转靶材相对于平面靶材具有很多的优点： 1、利用***（70％以上）,甚至可以达到90％; 2、溅射速度快,为平面靶的2-3倍; 3、有效地减少打弧和表面掉渣,工艺稳定性好等优点,因此近年来逐步替代了平面靶材。 针对国内尚未能生产靶材级高纯氧化铌的现状,在现有氧化铌湿法冶金生产工艺的基础上,以高纯铌液为原料,通过喷雾干燥造粒的方法实现对氧化铌产品粒度和粒形的控制,制取满足氧化铌靶材尤其是氧化铌旋转靶材生产要求的球形高纯氧化铌产品。产品纯度为99.95%、粒形为球形、粒度大小范围为50-150μm的高纯氧化铌产品。与国外同行生产厂家以高纯氧化铌产品为原料,需经过球磨、制浆、造粒、焙烧的工艺流程相比,具有工艺流程简单,生产成本低,粒度可控,产品成品***的特点。产品完全能够满足生产氧化铌旋转靶材的要求。浙江显示行业陶瓷靶材推荐厂家陶瓷靶材的种类很多,应用范围广,主要用于微电子领域,显示器用,存储等领域.
从整体上看，ITO在光电综合性能上高于AZO靶材，但AZO靶材的优势或将为靶材带来降本空间。在相关实验中利用AZO靶材和ITO靶材制备了3组实验薄膜（共6份样品）。实验中主要从光学性能和电学性能上对AZO薄膜和ITO薄膜进行了对比。在特定情况下AZO靶材与ITO靶材电学性能差距缩小。根据比较终实验数据来看，AZO薄膜和ITO薄膜的方块电阻以及电阻率随着薄膜的厚度增加而降低，并且随着薄膜厚度的增加，AZO薄膜与ITO薄膜方块电阻以及电阻率之间的差距逐步缩小。当AZO薄膜厚度为640nm时，方块电阻以及电阻率为32Ω•sq-1和20.48*10-4Ω•cm。AZO薄膜光学性能优于ITO薄膜。ITO薄膜的光学性能随着厚度的增加明显变差，但是对于AZO薄膜，透射率并没有随着厚度的增加而明显下降，在厚度为395nm时，高透射率光谱范围比较宽，可见光区平均透射率比较高，光学总体性能比较好，可充当透射率要求在85%以上的宽光谱透明导电薄膜的光学器件
氧化锌(ZnO)属于第三代半导体材料,室温下禁带宽度约为3.37eV，其激子束缚能高达60mev，比室温热离化能(26mev)大得多。第三代半导体材料是指宽禁带半导体材料，它们的发光波长短(近紫外)，具有耐高温、抗辐照、制备方法多、***等特点。自1997 年发现ZnO薄膜的室温紫外光发射以来，ZnO薄膜的制备技术及其光电特性成为人们研究的热点。ZnO薄膜可以在低于500C的温度下生长,比ZnSe和GaN的生长温度低得多。ZnO作为一种新型的光电材料在光波导、半导体紫外激光器、发光器件，透明电极等方面应用大面积。Zno 也是一种十分有用的压电薄膜材料，高质量的单晶或c轴择优取向的多晶ZnO薄膜具有良好的压电性质，能够用来制备高频纤维声光器件及声光调制器等压电转换器，在光电通信领域得到大面积的应用。磁控溅射的工作原理简单说就是利用磁场与电场交互作用。
氧化铌由于其独特的物理和化学性质而被广地应用于现代技术的许多领域。例如，利用其较强的紫外线吸收能力，可将其用作紫外敏感材料的保护膜；利用其薄膜折射率较高的特性，可与SiO2等配合可制备具有不同折射率的薄膜。由于这些明显的优点，氧化铌靶材被广地应用于太阳能电池、液晶显示器、离子显示器、收集触屏、光学玻璃、气体传感器等众多领域。随着科技的不断发展以及应用领域的不断延伸，氧化铌靶材的需求量也不断增大。目前，市场上使用的多的是氧化铌平面靶材，大都采用真空热压法来制备。但是采用该方法，氧化铌靶坯厚度较大，加工过程中需要通过机加工剖片工艺加工达到所需的厚度要求。氧化铌由于其独特的物理和化学性质而被广地应用于现代技术的许多领域。中国香港显示行业陶瓷靶材推荐厂家
靶材由“靶坯”和“背板”焊接而成。中国香港显示行业陶瓷靶材推荐厂家
研究直流磁控反应溅射ITO膜过程中ITO靶材的毒化现象,用XRD、EPMA、LECO测氧仪等手段对毒化发生的机理进行分析,并对若干诱导因素进行讨论,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解为In2O造成的,靶材性能及溅射工艺缺陷都可能诱导毒化发生.ITO薄膜作为一种重要的透明导电氧化物半导体材料，因具有良好的导电性能及光透射率广泛应用于液晶显示、太阳能电池、静电屏蔽、电致发光等技术中，用氧化铟+氧化锡烧结体作为靶材，直流磁控反应溅射法制备ITO薄膜与用铟锡合金靶相比，具有沉积速度快，膜质优良，工艺易控等优点成为目前的主流?但是，此法成膜过程中会经常发生ITO靶材表面黑色化，生成黑色不规则球状节瘤，本文称此现象为靶材毒化，毒化使溅射速率下降，膜质劣化，迫使停机清理靶材表面后才能继续正常溅射，严重影响了镀膜效率。
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