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产品详情
（1）寿命测试范围：5~10000μs；电阻率测量范围：ρ≥2Ω·cm
测电子级参杂硅单晶片（厚度小于1mm），电阻率范围：ρ＞0.1Ω·cm（表面可能需要抛光处理）
测量重复性误差≤±20%
（2）光脉冲发生装置
重复频率＞20~30次/s，光脉冲关断时间：0.2~1μs，余辉＜1μs
红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶），红外光在硅单晶内穿透深度大于500μm如测量锗单晶寿命需另行配置适当波长的光源
脉冲电源：5～20A
（3）高频源
高频振荡源：石英谐振器；频率：30MHz；低输出阻抗，输出功率＞1W
（4） 放大器和检波器
放大倍数约25倍，频宽：2Hz～2MHz
（5）仪器配置的光源电极台既可测纵向放置的单晶，亦可测竖放单晶横载面的寿命
可测单晶尺寸：
断面竖测：直径25～150，厚度2mm～500mm
纵向卧测：直径5mm～150mm，长度50mm～800mm
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- M220754
- CN61M/LT-1
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