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半导体分力器件测试仪 型号:VV522-CS2935 库号:M398111

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北京海富达科技有限公司 8年
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1. 二极管      
VF、IR、BVR
2.  稳压(齐纳)二极管  
VF、IR、BV Z
3.  晶体管       Transistor(NPN型/PNP型)
     VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON
4.   可控硅整流器(晶闸管)  
IGT、VGT、 IH、IL 、VTM
5.  场效应管  
IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS


6.  光电耦合器      
VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT
*7.三端稳压器
VO、SV、ID、IDV
被测器件图形



三、测试参数范围
晶体管

测试参数
测试范围
ICEO
ICBO
IEBO
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
VCE(sat)
VBE(sat)
0.10V-30V
VBE(VBE(on))
0.10V-30V
hFE
1-99999
V(BR)EBO
0.10V-30V
V(BR)CEO
V(BR)CBO
0.       10V-50V
50V-1499V
二极管

测试参数
测试范围
IR
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
VF
0.10V-30V
V(BR)
1V-50V
50V-1499V
稳压二极管

测试参数
测试范围
IR
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
VF
0.10V-30V
VZ
0.10V-50V
三端稳压器

测试参数
测试范围
VO
0.10V-30V
SV
0.10mV-1V
ID
1uA-10mA
IDV
1uA-10mA
MOSFET

测试参数
测试范围
VGS(th)
0.10V-30V
gfs
0.1mS-1000S
RDS(on)
10mΩ-100KΩ
VDS(on)
0.10V-50V
IGSS
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
IDSS
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
ID(on)
0-50A
V(BR)GSS
0.1V-30V
V(BR)DSS
0.1V-1499V
光耦

测试参数
测试范围
VF
0.10V-30V
IR
1nA-100nA
100nA-1uA
1uA-100uA
100uA-10mA
VCE(sat)
0.10V-50V
CTR
0.1%-1000%
ICEO
与IR参数相同
V(BR)ECO V(BR)CEO
0.10V-50V
50V-1499V
可控硅

测试参数
测试范围
IGT
10uA-200mA
VGT
0.10V-30V
IH
10uA-1A
IL
10uA-1A
VTM
0.10V-50V
四、技术指标
1、源的指标
主极压流源 (VA)
     电压:

设定范围(V)

±(0~10)
±(14.6mV+0.5%set)
±(10~50)
±(73.2mV+0.5%set)
电流:

测量范围

±(0-50)uA
±(244nA+0.5% set)
±(50-500) uA
±(2.44uA+0.5% set)
±(0.5-5) mA
±(24.4uA+0.5% set)
±(5-50) mA
±(244uA+0.5% set)
±(50~500) mA
±(2.44mA+0.5%set)
±(0.5~5)A(脉冲)
±(24.4mA+0.5%set)
±(5-50)A(脉冲)
±(244mA+0.5%set)
压流源 (VB)
     电压:

设定范围(V)

±(0~10)
±(14.6mV+0.5%set)
±(10~30)
±(43.8mV+0.5%set)
电流:

测量范围

±(0-50)uA
±(244nA+0.5% set)
±(50-500) uA
±(2.44uA+0.5% set)
±(0.5-5) mA
±(24.4uA+0.5% set)
±(5-50) mA
±(244uA+0.5% set)
±(50~500) mA
±(2.44mA+0.5%set)
±(0.5~5)A(脉冲)
±(24.4mA+0.5%set)
±(5-50)A(脉冲)
±(244mA+0.5%set)
高压源(HV)

设定范围(V)

0~1500
±(1.22V+1%set)
*1500V时大输出为5mA。
2、电压表的指标
测漏电流

测量范围

±(0~200)nA
±(2.44nA+0.5% Rdg)
±(0.2-2)uA
±(24.4nA+0.5% Rdg)
±(2-20)uA
±(244nA+0.5% Rdg)
±(20~200) uA
±(2.44uA+0.5% Rdg)
±(0.2~2)mA
±(24.4uA+0.5% Rdg)
±(2-20)mA
±(244uA+0.5% Rdg)
测试电压

设定范围(V)

±(0~10)
±(3mV+0.5% Rdg)
±(10~50)
±(15mV+0.5% Rdg)
测击穿电压

设定范围(V)

(0~50)V/10mA
±(36.6mV+0.25% Rdg)
(50~1500)V/1mA
±(610.3mV+1% Rdg)
放大倍数

设定范围(V)

1~9999
1%

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