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研磨半导体单晶硅片用片状氧化铝10um 12um
平板状氧化铝抛光粉是以优质工业氧化铝粉为原料，采用特殊生产工艺处理，生产出来的氧化铝抛光粉晶体形状呈六角平板状，因而称之为平板状氧化铝或片状氧化铝。
平板状氧化铝的氧化铝纯度***以上，具有耐热，耐酸碱腐蚀，硬度高的特点。与传统磨料球形颗粒不同，平板状氧化铝的底面平整，研磨时颗粒贴合工件表面，产生滑动的研磨效果，避免了颗粒尖角对工件表面的划伤，另一方面，平板状氧化铝进行研磨时，研磨压力是均匀分布在颗粒表面，颗粒不易破碎，耐磨性能提高，从而提高了研磨效率和表面光洁度。
对于半导体材料如半导体硅片，平板状氧化铝的应用，可以减少磨削时间，大幅提高研磨效率，减少磨片机的损耗，节省人工和磨削成本，提高磨削合格率。品质接近国外***。
显像管玻壳磨削工效提高3-5倍；
合格品率提高10-15%，半导体硅片合格品率达到***以上；
研磨消耗量比普通氧化铝抛光粉减少40-40%；
平板状氧化铝微粉是以工业氧化铝粉为主要原料,采用特殊矿化剂、高温控制晶粒形状及大小,经特殊处理和严颗粒呈独特的平板状结构,硬度高达莫氏九级,磨削力强,不易产生划痕,可得到高效率、高精度的被加工表面,有特殊设计的粒度分布,质量和日本FUJIMI公司相当。
平板氧化铝研磨抛光微粉的特点(研磨半导体单晶硅片用片状氧化铝10um 12um)
1）平板型氧化铝研磨抛光微粉与其它氧化铝研磨抛光微粉的区别是：片状，硬度高，粒度均匀。
2）特点为：
A、形状为平板状，即片状，使磨擦力增大，提高了磨削速度，提高了工效，因此可减少磨片机的数量、人工和磨削时间，如显像管玻壳磨削工效能提高3-5倍；
B、由于形状为平板状，故对于被磨对象（如半导体硅片等）来说不易划伤，合格品率可提高10%至15%，如半导体硅片，其合格品率一般能达到***以上；
C、由于硬度比普通氧化铝研磨抛光微粉高，故用量比普通氧化铝研磨抛光微粉要少，如果磨同样数量的产品，其用量比普通氧化铝研磨抛光微粉要节约40%至50%；
D、与国外同类产品相比，质量达到或超过国外同类产品，品质已达到***，但产品价格只有国外同类产品的50%；
E、由于平板型氧化铝研磨抛光微粉的优良性能，故加工的产品合格品***，质量稳定，生产成本只有原来的50%-60%。
3、片状氧化铝是以工业氧化铝为原料，添加复合矿化剂，经过高温煅烧而成。晶体形貌为具有一定厚度的片状备用于以下方面的研磨抛光磨料，平板型氧化铝研磨抛光微粉的用途:
1）电子行业: 单晶硅片、压电石英晶体、化合物半导体的研抛。
2）玻璃行业: 硬质玻璃和显象管玻壳的加工。
3）涂附行业: 特种涂料和等离子喷涂的填充剂。
4）金属和陶瓷加工业。
化学成分：（研磨半导体单晶硅片用片状氧化铝10um 12um）
Al2O3 | ≥99.0% |
SiO2 | ＜0.2 |
Fe2O3 | ＜0.1 |
Na2O | ＜1 |
物理性能：（研磨半导体单晶硅片用片状氧化铝10um 12um）
化学成分 | α-Al2O3 |
颜色 | 白色 |
比重 | ≥3.9g/cm3 |
莫氏硬度 | 9.0 |
生产规格：（研磨半导体单晶硅片用片状氧化铝10um 12um）
型号 | D3(um) | D50（um） | D94（um） |
CA40 | 39-44.6 | 27.7-31.7 | 18-20 |
CA35 | 35.4-39.8 | 23.8-27.2 | 15-17 |
CA30 | 28.1-32.3 | 19.2-22.3 | 13.4-15.6 |
CA25 | 24.4-28.2 | 16.1-18.7 | 9.6-11.2 |
CA20 | 20.9-24.1 | 13.1-15.3 | 8.2-9.8 |
CA15 | 14.8-17.2 | 9.4-11 | 5.8-6.8 |
CA12 | 11.8-13.8 | 7.6-8.8 | 4.5-5.3 |
CA09 | 8.9-10.5 | 5.9-6.9 | 3.3-3.9 |
CA05 | 6.6-7.8 | 4.3-5.1 | 2.55-3.05 |
CA03 | 4.8-5.6 | 2.8-3.4 | 1.5-2.1 |
产品应用范围：（研磨半导体单晶硅片用片状氧化铝10um 12um）
1）电子行业 ： 半导体单晶硅片、压电石英晶体、化合物半导体（砷化镓、磷化铟）的研磨抛光。
2）玻璃行业 ： 水晶，石英玻璃，显象管玻壳屏，光学玻璃，液晶显示器（LCD）玻璃基板，压电石英晶体的研磨加工。
3）涂附行业 ： 特种涂料和等离子喷涂的填充剂。
4）金属和陶瓷加工业：精密陶瓷材料，烧结陶瓷原料，***高温涂料等
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