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MJE13007 NPN 硅晶体管技术规格
封装形式:
TO-220
特点概述:
高压VCBO>700V；
开关速度快；
安全工作区宽。
主要用途：
高压开关电路，节能灯、电子镇流器、电子变压器。
极限值：（额定值）（T =25℃）
C
参数名称 符号 额定值 单位
集电极-基极电压 VCBO 700 V
集电极-发射极电压 VCEO 400 V
发射极-基极电压 VEBO 9 V
集电极电流 IC 8 A
集电极耗散功率 PC 85 W
贮存温度范围 Tstg -55~+150 ℃
结温 Tj 150 ℃
电特性：（Tj=25℃，除非另有规定）
参数名称 符号 测试条件 MIN TYP MAX 单位
集电极-基极击穿电压 V(BR)CBO I =1000uA，I =0 700 V
C E
集电极-发射极击穿电压 V(BR)CEO I =10mA，I =0 400 V
C B
发射极-基极击穿电压 V(BR0EBO I =1000uA，I =0 9 V
E C
集电极-基极截止电流 ICBO V =700V，I =0 100 uA
CB E
集电极-发射极截止电流 ICEO V =400V，I =0 100 uA
CE B
发射极-基极截止电流 IEBO V =7V，I =0 100 uA
EB C
直流电流放大倍数 hFE* V =5V，I =2A 10 40
CE C
不同电流下放大倍数比 k h (V =5VI =10mA)/ 0.6
FE1 CE C
h (V =5VI =2A)
FE CE C
集电极-发射极饱和压降 VCEsat I =8A，I =2A 3.5 V
C B
基极-发射极饱和压降 V sat I =5A, I =1A 1.2 V
BE C B
二极管正向电压 V I =3A 2 V
F F
贮存时间 ts UI9600, I =0.5A 3 6 us
C
*hFE 分档：10—20—25—30
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