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G3R160MT17D GENESICSE 1700 V 160 mΩ SiC MOSFET现化供应

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参数

MOSFET产品特性
电源适用产品
3300V输入电压范围

发货地广东深圳 7天内发货供货总量10000个

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G3R160MT17D 1700 V 160 mΩ GeneSiC Semiconductor

G3R160MT17D 1700 V 160 mΩ GeneSiC Semiconductor 面议

代理GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D

代理GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D 面议

G3R160MT17D 耐压1700 V 内阻160 mΩ SiC MOSFET现货供应

G3R160MT17D 耐压1700 V 内阻160 mΩ SiC MOSFET现货供应面议

现货供应G3R160MT17D耐压1700V内阻160mΩ SiC MOSFET

现货供应G3R160MT17D耐压1700V内阻160mΩ SiC MOSFET 面议

全新进口 G3R160MT17D TO-247-3 21A 1700V 碳化硅MOS场效管

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全新代理进口G3R160MT17D碳化硅MOS场效管

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产品参数

产品特性MOSFET
适用产品电源
输入电压范围3300V
最快出货时间7天
是否支持一件代发支持
发票支持
售后服务支持
包装清单600
品牌GeneSiC Semiconductor
系列G3R
型号G3R160MT17D
制造商：Gene SiC Semicond
产品种类：MOSFET RoHS
安装风格：Through Hole
封装/箱体TO-247-3
晶体管极性N-Channel
通道数量：1 Channel
Vds-漏源极击穿电压：1.7kV
ld-连续漏极电流：17A
Rds On-漏源导通电160mOhms
栅极-源极电压：5V+15V

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