CVD金刚石化学气相沉积设备

¥10万 1 - 2
¥9.5万 ≥3

参数

否是否进口
苏州产地
是加工定制

发货地江苏昆山市 40天内发货供货总量100台

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深水柱状沉积物采样器型号:KH055-M31153 库号：M31153 面议

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产品详情

带预热的等离子体化学气相沉积系统

PECVD-TF1200-150II-SL-LV-150S-T10

一、设备示意图

二、设备介绍

本设备是由本公司自主研发，具有国家发明专利的高端PECVD系统。

特点：与传统CVD系统比较，生长温度***；使用滑轨炉实现快速升温和降温，沉积速度快；设备***的专利技术使得整管辉光均匀等效，均匀生长，成膜质量好，不易龟裂。

用途：可在片状或类似形状样品表面沉积SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、纳米硅、SiC、类金刚石等多种薄膜，并可沉积p型、n型掺杂薄膜。沉积的薄膜具有良好的均匀性、致密性、粘附性、绝缘性。

三、主要参数

加热炉	额定功率：4 Kw 额定电压：AC220V，50/60 Hz 温度：1200℃ 使用温度：≤1100℃ 升温速率：≤30℃/min 控温精度：±1℃ 加热区：400（200+200）mm 恒温区：200 mm 加热元件：电阻丝热电偶：N型控温方式：模糊PID控制和自整定调节，智能化30段可编程控制，具有超温和断偶报警功能。
预热炉	额定功率：2 Kw 额定电压：AC220V，50/60 Hz 温度：500℃ 使用温度：400℃ 升温速率：≤30℃/min 控温精度：±1℃ 加热区：200 加热元件：电阻丝热电偶：N型控温方式：智能化30段可编程控制
射频电源	信号频率：13.56MHz±-0.005% 射频功率输出范围：5W-500W 反射功率：200W 射频输出接口：50Ω。N-type,female 功率稳定度：±0.1% 谐波分量：≤-50dbc 供电电压：单相50/60Hz 220v±10% 整机效率：>=70% 功率因素：>=90% 冷却方式：强制风冷
真空系统	额定功率：1 Kw 额定电压：220V±10% 50~60HZ 抽气速率：10m³/H 极限真空：1.0X10^-1Pa 油容量：1.1L 进气口径：KF25 排气口径：KF25 转速：1450rpm
供气系统	连接头类型：双卡套不锈钢接头。标准量程：50sccm、100sccm、200sccm、500sccm、1000sccm等可选。标准气体：N₂、Ar、H₂、CH₄等可选。精准度：±1.5% 响应时间：气特性：1～4 Sec，电特性：10 Sec 工作压差范围：0.1～0.5 MPa；压力：3MPa 接口：Φ6,1/4&＃39;&＃39;；4位数显；工作环境温度:5~45高纯气体内外双抛不锈钢管：Φ6 压力真空表：－0.1～0.15 MPa；截止阀：Φ6