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照明用白光LED,从芯片衬底材料来说，一个是芯片外延技术，另一个是白光LED器件的制作。现在这几方面都取得了比较大的进展。在蓝宝石上，因为它的衬底不匹配，所以采取了侧向外延的技术，使性能取得了比较大的改进。目前芯片研究的进展结果是：基于蓝宝石衬底的蓝、绿、紫及紫外LED目前所获得的佳性能是在采取侧向生长等技术的基础上取得的，目的在于减小位错密度，蓝、紫器件的外***效率约40%，而绿、紫器件的外***效率约15%，离目标值分别相差2至6倍，基于该芯片的白光性能改进主要依赖于荧光粉和封装技术的改进。由于碳化硅上所做的器件具有更小的位错密度，基于该衬底的各色光LED性能仍优于蓝宝石衬底侧向生长的LED性能，但由于该衬底材料较蓝宝石贵7至10倍，有关性能优化的研究工作做的相对较少。分别用碳化硅和氧化铝及GaN和蓝宝石作为衬底材料所做的发光器件对比实验表明，它们的紫外发光特性具有数量级的差别，说明基于匹配衬底所做的低缺陷密度LED有可能获得佳的发光性能（包括流明效率和单管产生的数据）。为实现高效白光LED照明系统实用化，实施的半导体照明研究的主要内容包括：研究以使用紫外光LED的A1N、GaN等为中心的化合物半导体的发光机理。改进蓝色、紫外光LED的外延成长技术。均质外延板的开发。高效R、G、B荧光粉的开发。
大功率LED光源技术特性,发白光，色温：暖白2600至3700K;正白4000至5200K;冷白5000至10000K光通量40至1141m/W;66至1881m/W正常工作电流：350至700mA，700mA工作时光通量是350mA工作时的1.65倍，大支持1000mA。典型电压值：3.3至3.6V(350mA);3.6至3.9V(700mA)。典型视角：90。。5万小时光衰小于30%(350mA、ra=251);1000小时光衰小于0.5%巨捷交通用普瑞芯片生产的LED具备不错的大功率封装技术特点，如热电分离的导热通道、可回流焊封装、可浮动透镜，支持大范围电流驱动。XLampXR-CLED系列技术特性如下：多种可选择色温（CCT)。2600至10000K;601识/350mA(4000至10000K);541m/350mA(3000K)。驱动电流高达到500mA。暖白和正白，根据ANSI标准进行分级。
大功率白光LED的结构特点,大功率白光LED相对于传统的白炽灯，大功率白光LED因具备了更省电、使用寿命***及反应时间更短等主要优点，因此很快抢占了LCD背光板、交通号志、汽车照明和广告牌等多个市场。采用次黏着基台的进阶封装方式，可有效提髙LED的照明效果。大功率白光LED的主流生产技术是InGaN，但此技术仍有一些瓶颈需要克服，目前针对这些瓶颈(静电释放敏感性和热膨胀系数）提出了新的解决方案。由于大功率白光LED制造工艺、器件设计、组装技术三方面的进展，LED发光性能一直在提高，其成本一直在降低。PN结设计、再辐射磷光体和透镜结构都有助于提高效率，因此也有助于提高可获得的光输出。
目前多数的太阳能路灯光源的封装方式很明显无法满足今天与未来的应用需求，对于大功率白光LED的封装厂商来说，一个主要的挑战来自于热处理。这是因为在高热下，晶格会产生振动，进而造成结构上的改变，这将降低发光度，甚至令LED无法使用，也会对交错联结的封人聚合体造成影响。LED的外***效率取决于外延材料的内***效率和芯片的取光效率。
由于大功率白光LED采用了MOCVD的外延生长技术和多***阱结构，在控制生长和掺杂及减少缺陷等方面取得突破性进展，其外延片的内***效率已有很大提高，AlGalnN虽不及AIGalnP,但波长615mn的AlGalnP的内***效率已接近极限，由于半导体与封装的环氧树脂折射率相差较大，致使内部的全反射临界角很小，有源层产生的光只有小部分被取出，大部分在芯片内部经多次反射而被吸收，成为大功率白光LED芯片取光效率很低的根本原因，提高取光效率主要有以下几种结构。
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