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Eaton伊顿UPS不间断电源5P850i在线互动塔式 850VA/600W

¥1593.00 1 - 2台
¥1539.00 3 - 9台
¥1503.00 ≥10台

参数

稳压稳频产品特性
否是否进口
深圳产地

发货地山东济南 3天内发货供货总量20231030台

山东鼎控电源科技有限公司 1年: 进入店铺在线咨询

Eaton伊顿UPS不间断电源5P1150i 在线互动式塔式稳压1150VA/770W ¥1800.00

Eaton伊顿5P1550i UPS不间断电源1550VA/1100W在线互动式停电备用 ¥2376.00

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奥冠蓄电池6-GFM-100 直流屏12V100AH 配电柜 EPS/UPS电源 ¥567.00

产品详情

5P UPS 具有优化的电气设计，效***达 98%，大大减少制冷和电力成本。

• ***弦波输出 . 在电池模式下，5P UPS 可为连接的任何敏感设备（如主动功因校正的服务器）提供高质量的信号输出。

• 输入范围和灵敏度可调节 . 用户可根据特定的应用环境 ( 如发电机组 )

通过液晶显示屏或者伊顿智能监控软件 IPP/IPM 设置输入电压的可接受范围或波形灵敏度 , 减少电池模式工作时间并大程度的延长电池的使用寿命。

可用性高，灵活性强

• 5P UPS 包含塔式或 1U 机架式两种型号 . 其中机架式机型 1.1kW 仅仅 1U 的高度 , 为客户提供超高的功率密度。

• 电力更强，电池寿命更持久：伊顿 ABM® 电池管理技术采用创新性的三阶段电池充电技术，确保仅在必要时才会对电池进行充电，电池的腐蚀更小，寿命延长 50%。

• 电池可进行热插拔，无需关闭连接的设备。如果选配了热插拔维护旁路模块，甚至可以更换整个 UPS 而无需关闭连接设备。

Eaton伊顿UPS不间断电源5P850i在线互动塔式 850VA/600W

集成驱动电路

1 IR2125芯片驱动电路。IR2125是一种单片高压高速单通道功率MOSFET驱动器，它包括输入/输出逻辑、保护电路、电平移位电路、输出驱动和自举电源等部分。VD1 可达500v

图2-44给出了IR2125的典型驱动电路。

其浮置电压是通过一个自举电路从固定电源来

的。图中的充电二极管VD1的耐压必须大于高IN 压直流母线上的尖峰电压，为防止自举电容C 去负载放电，必须使用快恢复二极管。自举电容C3 图2-44IR2125的典型驱动电路的大小与开关频率、占空比和被驱动功率MOSFET的栅极电荷要求有关，电容C3上的电压降不能低于欠压锁定门限。

Vcc的旁路电容C1和C2应能为自举电源提供足够的瞬态电流。C1和C2的值一般取自举电容C3值的10倍左右。

IR2130芯片驱动电路。IR2130可直接驱动中小容量的功率MOSFET。它有六路输入信号和输出信号，其中六路输出信号中的三路具有电平转换功能，因而IR2130芯片驱动电路既能驱动桥式电路中低压侧的功率器件，又能驱动高压侧的功率元件。也就是说，该驱动器可共地运行，且只需一路控制电源，而常规的驱动系统通常包括光电隔离器件或者脉冲变压器，同时还必须向驱动电路提供相应的隔离电源。

Eaton伊顿UPS不间断电源5P850i在线互动塔式 850VA/600W

图2-45所示为IR2130在直流永磁无刷电机控制系统中的应用电路图。UC3625为无刷直流电机控制器，其H、H2、H为转子位置检测输入端，其输出端的信号经电平变换后送至IR2130输入端，再经三相桥式逆变电路后驱动电机，实现转速或转矩调节。

UC3724/3725芯片驱动电路。UC3724/3725一起配对组成隔离的MOSFET栅极驱动电路，特别适合于驱动全桥变换器的高压侧MOSFET，典型应用电路如图2-46所示。

图2-46 UC3724/3725配对典型应用电路

该电路驱动参数如下: a.200m W平均栅极驱动功率；b.100kHz的开关频率；c15V供电:

d. 1kV的隔离电压。(4)实用驱动电路举例

1正反馈型驱动电路。如图2-47所示为正反馈型驱动电路。正反馈信号的获得是二次绕组W3实现的。当输入信号为高电平时，反相器I的输出为高电平，在该驱动信号用下出现漏极电流，此时一次绕组W，中感生出星号端为正的反电动势，在变压器二次w3中也感生出相应极性的电势，并通过R1 率MOSFET 的输入电容充电，随着功MOSFET的导通不停地给栅极施以正反馈，了功率MOSFET的开通过程，缩短了开通时当输人信号为低电平时，使功率MOSFET关反相器I输出高电平并使辅助管FETA开通而将功率MOSFET的栅极接地，迫使其输容迅速放电，加速功率MOSFET的关断速由此可见这种电路是一种高速开关电路。

图2-47正反馈型驱动电路

窄脉冲自保护驱动电路。如图2-48所

Eaton伊顿UPS不间断电源5P850i在线互动塔式 850VA/600W

一种具有过载和短路保护功能的窄脉冲驱动电当输入信号1；由低变高时，晶体管VT1导

脉冲变压器一次绕组上的电压为电源电压Vc1在电阻R2、R3上取得的分压值。脉冲变压器可以做得很小，故在很短时间内就会饱和，耦合到其二次绕组的电压是一个正向尖脉冲，该尖脉冲使VT2导通，VT2、VT3组成两级正反馈互锁电路，由于互锁作用VT2、VT3将保持导通，因而VT4通使功率MOSFET导通。当V；由高电平变低时，脉冲变压器一次侧磁恢复，在二次侧感应出一个负向尖脉冲，使VT2截止，从而使VT3、VT4截止，VT5瞬时导通，关断功率MOSFET。在该电路中R6、VD3、VD4}构成自保护驱动。参考点A的电位由电阻R4、R5分压获得，在正常工作时功率MOSFET的漏极D点电位低于A点电位，因而二极管VD4截止，电源Vc2经电阻R6、二极管VD3到功率MOSFET流过电流。当短路或过载时，功率MOSFET的VDs上升，当VD=VA时，二极管VD4导通，R6和R8 上的分压使A点电位升高，由VT2、VT3构成的互锁电路翻转，使VT5瞬时导通，关断功率MOSFET，使之得到有效保护。

图2-48具有过载和短路保护功能的窄脉冲驱动电路

图2-49窄脉冲MOS化驱动电路

窄脉冲MOS化驱动电路。可以利用互锁电路的保持功能实现用窄脉冲驱动功率MOSFET。互锁电路由两个小功率MOSFET管的栅源交叉连接组成，如图2-49所示。这样组成了一个无源双稳态电路，C{1、C2、C是储能元件，它们可以是外接电容器，也可利用VT1、VT2和功率MOSFET的寄生电容。在输人信号v；的上升沿，脉冲变压器的二次侧产生一个正向尖脉冲使C1充电，VT1开通，C_2通过VT放电使VT2关断，C由窄脉冲通过R8充电使功率MOSFET导通。反之，在输入信号:的下降沿，脉冲变压器的二次侧产生一个负向尖脉冲使C2充电VT2导通，C1和C通过VT2放电，最终VT 和功率MOSFET关断。增大C1、C2或改变Rg还可以对导通及关断时间进行调整。当电路开始接电时，VT1、VT2、功率MOSFET均处于关断状态，由于功率MOSFET的栅极都处于高阻抗状态，极易因干扰或噪声而使电容C1和C2充电，造成功率MOSFET误导通。为此设置了电阻Rd、C2,通过Rd对C2自动充电***功率MOSFET处于关断

状态。

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