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科华FR-UK30L工频UPS不间断电源3KVA2400W单进单出医院银行回收

¥3663.00 1 - 2
¥3357.00 3 - 9
¥3150.00 ≥10

参数

稳压稳频产品特性
否是否进口
深圳产地

发货地山东济南 7天内发货供货总量182799只

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科华FR-UK60工频UPS不间断电源6KVA4800W单进单出医院银行安装 ¥4851.00

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产品详情

IF为正向电流，IRM为反向恢复电流。通常规定In=0.1RM,当1=t。时，由于加在二极管上的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流突然降低，并在=t1时，I=0。然后二极管上流过反向电流IR，IR逐渐增大，在=t时，达到反向恢复电流IRM。此后二极管受正电压的作用，反向电流逐渐减小在=3时，IR=Im,由1~t3所用的时间即为二极管的反向恢复时间。

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图2-3电力二极管的伏安特性

率不高(1kH 率不高时并不可以达到很高

(2)快恢

恢复过程极管(FRD 有的采用PN 构的所谓的快更短(可低子是什么结构，为数百纳秒

(3)肖以金属schottky bar 应用，但是PN结为基码特基二极管: 也很小，明小。其弱点多用于200 略，而且必

2.1.5检

图2-4二极管反向恢复时间示意图

2.14主要类型

电力二极管在电力电子电路中都有着广泛的应用。电力二极管可在交流-直流变换电路

中作为整流元件，也可在电感元件的电能需要适当释放的电路中作为续流元件，还可在各种变流电路中作为电压隔离、钳位或保护元件。在应用过程中，应根据不同场合的不同要求，选择不同类型的电力二极管。下面按照正向压降、反向耐压和反向漏电流等性能，特别是反向恢复特性的不同，介绍几种常用的电力二极管。当然，从根本上讲，性能上的不同都是由半导体物理结构和工上的差别造成的，只不过这些结构和工艺差别不是我们一般工程技术人员所关心的主要问题，有兴趣的读者可参考有关专门论述半导体物理和器件的文献。

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主要参数

(1)正向平均电流IFAv)与浪涌电流I rSM

正向平均电流IF(AV)是指电力二极管长期运行时，在***的管壳温度和散热条件下，其允许流过的工频正弦半波电流的平均值。在此电流下，因管子的正向压降引起的损耗塔成的结温升高不会超过所允许的工作结温。这也是标称其额定电流的参数。而很浦电济IFSM是指电力二极管所能承受的连续一个或几个工频周期的过电流。

(2)正向压降UF

正向压降U:是指电力二极管在***温度下，流过某一***的稳态正向电流时对应的正

向压降。有时其参数表中也给出在***温度下流过某一瞬态正向大电流时电力二极管的瞬时正向压降。

(3)反向重复峰值电压URRM

反向重复峰值电压URRM是指对电力二极管所能重复施加的反向峰值电压，通常是其雪崩击穿电压UB的2/3.使用时应注意不要超过此值，否则将导致元件损坏。

(4)工作结温T3M

结温是指管芯PN结的平均温度，用T1表示。工作结温是指在PN结不致损坏的

前提下所能承受的平均温度，用TM表示。T M通常在125~175℃范围内。

(5)反向恢复时间(n)

电流流过零点由正向转换成反向，再由反向到规定的反向恢复电流I值所需的时间，称为反向恢复时间(i),

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放电供给负载电流

由于这种直流变换器当功率开关器件VT导通时，整流二极管VD截止，电源不直接向负载传送能量，而由变压器储能;当VT变为截止时，VD导通，储存在变压器磁场中的能量释放出来供给负载R，和输出滤波电容C。，因此称为反激式变换器。

图3-30(a)中，C用于输人滤波;C1、R1、VD;为关断缓冲电路，用于对功率开关管进行保护，并吸收高频变压器漏感释放储能所引起的尖峰电压

在VT由导通变为截止时，电容C、经二极管VD，充电，C的充电终了电压为Uc,=U:+nU。。由于电容电压不能突变，VT的漏-源电压被C两端电压钳制而有个上升过程，因此不会出现漏-源电压与漏极电流同时达到值的情况，从而避免了出现的瞬时尖峰功耗。C，储存的能量为C;U?,/2。当VT由截止变为导通时，C经VT和R放电，其放电电流受R」限制，电容C，储存的能量大部分消耗在电阻R上。

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普通二极管

普通二极管(general purpose diode)又称整流二极管(rectifier diode),多用于开关频20

对二极

(1)不

不在路量好坏，女红表棒接内电池的i 较小，一阻值很大则说明二电阻时，向偏置电阻值均很

(2)

a. 断同，只是考，要根下，对其

b.通导通后的

第2章常用电力电子器件

正x

率不高(lkHz以下)的整流电路中。其反向恢复时间较长，一般在5us 以上，这在开关频率不高时并不重要，在参数表中甚至不列出这一参数。但其正向电流定额和反向电压定额却可以达到很高，分别可达数千安和数千伏以上。

(2)快恢复二极管

是

的

恢复过程很短，特别是反向恢复过程很短(一般在5us 以下)的二极管被称为快恢复二极管(FRD--fast recovery diode),简称快速二极管。工艺上多采用了掺金措施，结构上有的采用PN结型结构，也有的采用对此加以改进的PiN结构。特别是采用外延型PiN结构的所谓的快恢复外延二极管(FRED-fast recovery epitaxial diodes),其反向恢复时间更短(可低于50ns),正向压降也很低(0.9v左右)，但其反向耐压多在1200v以下。不管是什么结构，快恢复二极管从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或***，后者则在100ns以下，甚至达到20~30ns。

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