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BAYKEE航天柏克HS-6KRH机架式UPS不间断电源6KVA4800W外接电池包

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山东鼎控电源科技有限公司
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由图5-3(a)的波形可知,开关V截止时,电感电流i刚好降到零;开关导通时,i从零逐渐开始上升;i的峰值刚好等于电流给定值1;。即开关V导通时,电感电流从军上升;开关截止时,电感电流从峰值降到零。电感电流i的峰值包络线就是1。因此,这种电流临界连续的控制方式又叫峰值电流控制方式。从图5-3(b)的波形可知,这种方式可以控制电感电流i在给定电流I”曲线上,由高频折线来逼近正弦曲线,这就是电流滞环控成由流,,经过C,和射频滤波后,得到与输入电压同频率的基波电流1;、1、反映的是电流的平均值,因此这种电流连续的控制方式又叫平均电流控制方式。电在相同的输出功率下,峰值电流控制的开关管电流容量要大一倍。平均电流控制时,在正弦半波内,电感电流不到零,每次DC/DC 开关导通前,电感L,和二极管VD中都有电流,因此开关开通的瞬间,L,中的电流、二极管VD中的反向恢复电流对直流转换电路中的开关器件V和二极管形成了“寿命杀手”,在选择元件时要特别重视。而峰值电流控制没有这一缺点,只要检测电感电流下降时的变化率,当电流过零时就允许开关开通,而电流的峰值用一个限流电阻检测就能达到目的,这样既便宜又可靠,适用于小功率场合。

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单结晶体管的实验电路和伏安特性如图2-19所示。U S. L66=30v 3 20V 10v 截止区|负阻区饱和区 

图2-19 单结晶体管实验电路与伏安特性

a.当S1闭合、S2断开时,I bb=0,二极管VD与Rb1组成串联电路,U.与I。的关系曲线与二极管正向特性曲线接近。

b.当S1断开、S2闭合时,外加基极电压U_0经过Rb1、R b2分压,则A点对b1之间的电压UA为

Rb1 UA= U_bb=U bb Rb1十R52 式中,刀-Rb1/(Rb1+R b2),称为单结晶体管的分压比,7是由单结晶体管的内部结构决定,一般为0.3~0.9。

c S1 闭合、S2也闭合,即单结晶体管加上一定的基极电压Ub。

U。从零开始逐渐增大,当Ue

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当Ue=UA时,二极管VD处于零偏,电流Ie=0,如图2-19中的b点,管子仍处于截

止状态。当U。再增大,UA0。

当U。继续增大,达到UP值(图中P点)时,Up=UA+UD,二极管充分导通,I。***增大,当I.继续增大时,发射极P区的空穴不断地注入N区,与基片中的电子不断汇合,使N区Rb1段中的载流子大量增加,使Rb阻值迅速减小,U 降低,I。进一步增大,而1e的增大又进一步使Rb1减小,形成强烈的正反馈。随着Ie的增大,U 降低,又由于Ue=UA+Up,所以U.不断减小,从而得出单结晶体管的发射极e与***基极b,之间的动态电阻△R eb1=AU。/AI。为负值,这就是单结晶体管***的负阻特性。如图2-19所示,

在曲线上对应的P、V两点之间的区域,称为负阻区,UP称为峰点电压,Uv为谷点电压。

进入负阻区后,当I。继续增大,即注人N区的空穴增大到一定量时,一部分空穴来不及与基区电子复合,从而剩余一部分空穴,使继续注人空穴受到阻力,相当于Rb)变大,因此,在谷点V之后,单结晶体管工作工作状态由负阻区进人饱和区,又恢复其正阻特性,这时U。随I。的增大而逐渐增大。显而易见,Uv是维持单结晶体管导通所需要的最小发射极电压,一旦出现U。

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A-UPS电源??蓄电池:

当U0改变时,Up也随之改变。这样,改变U5b就可以得到一组伏安特性曲线。对闸管触发电路来说,最希望选用分压比为较大,谷点电压Uv小一点的单结晶体官,从而社输出脉冲糖值及调节电随范围比较宽。

单结晶体管自激振荡电路。如图2-20所示是单结晶体管自激振荡电路。当电源来通时,电容上的电压为零。当电源接通后,-路经R1、R2在单结晶体管的两个基极间按心压此进行分压,另一路通过R。对电容C进行充电,充电时间常数t1=R.C,发射极电R 为电容两端电压ac。nc逐渐升高,当ac 上升到峰点电压Up之前,单结品体营处于发止状态,当达到峰点电压Up时,单结晶体管导通,电容经过e、b1向电阻R1放电,放时间常数2=(Rs十R1)C,由于放电回路电阻R+R1很小,放电时间很短,所以R1卜得到很窄的尖脉冲。随着电容放电的进行,当uc=Uv并趋于***时,单结晶体管截店R1上的脉冲电压结束。此后电源又重新对电容充电,当充电到UP时,单结晶体管又导通此过程周而复始,这样,在R1上就得到一系列的脉冲电压,由于电容上的放电时同常数,远小于充电时间常数1,电容上的电压为锯齿波振荡电压,电压波形如图2-20(c)所示如静大,则产生,导通一因使管子所Cn)V_n 而U 充电放电地截止所综为小R。


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