EAVDA爱维达HQ60I工业级UPS不间断电源6KVA4800W钢铁冶金工业制造

¥2295.00 1 - 2台
¥2286.00 3 - 9台
¥2277.00 ≥10台

参数

稳压稳频产品特性
否是否进口
深圳产地

发货地山东济南 7天内发货供货总量20230713台

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EAVDA爱维达HQ1110I工业级UPS不间断电源10KVA8KW电力发电厂化工 ¥3681.00

EAVDA爱维达HQ3110I工业级UPS不间断电源10KVA8KW三进单出变电站 ¥3681.00

EAVDA爱维达HQ3115I工业级UPS不间断电源15KVA12KW三进单出船舶 ¥6381.00

EAVDA爱维达HQ3120I工业级UPS不间断电源20KVA16KW三进单出海工 ¥7875.00

EAVDA爱维达HQ3130I工业级UPS不间断电源30KVA24KW三进单出航空 ¥9855.00

EAVDA爱维达HQ3110GL高频在线式UPS不间断电源10KVA8KW医疗设备 ¥5679.00

产品详情

使用因素

各种不良的使用因素如浮充电压和电流偏高或偏低、环境温度过高或过低、电解液密度过高、过量充电、过量放电、充电维护方法不当等均会引起一种或多种失效模式。浮充电压偏低、放电后未及时充电、长期充电不足、长期处于放电状态、电解液密度过高、温度过高、极板外露等均会引起硫化，温度过高或浮充电压过高，会引起失水或热失控。因为温度过高导致水的蒸发，浮充电压过高即浮充电流过大将导致氧复合效率下降，进而引起电池失水;而温度和浮充电流的相互增长作用则会引起热失控，

温度过高和长期过量充电会导致正极板栅的腐蚀，循环使用时起始充电电流密度过低、浮充电压偏低、深度过放电、充电量大于120%和连续地高速率放电等是引起早期容量损失的主要因素。

过量充电会导致蓄电池负极板铅枝晶的生成，铅枝晶会沿着隔膜中垂直于隔板的大孔生长，并最终引起电池的微短路。

EAVDA爱维达HQ60I工业级UPS不间断电源6KVA4800W钢铁冶金工业制造

当V；由高电平变低时，脉冲变压器一次侧磁恢复，在二次侧感应出一个负向尖脉冲，使VT2截止，从而使VT3、VT4截止，VT5瞬时导通，关断功率MOSFET。在该电路中R6、VD3、VD4}构成自保护驱动。参考点A的电位由电阻R4、R5分压获得，在正常工作时功率MOSFET的漏极D点电位低于A点电位，因而二极管VD4截止，电源Vc2经电阻R6、二极管VD3到功率MOSFET流过电流。当短路或过载时，功率MOSFET的VDs上升，当VD=VA时，二极管VD4导通，R6和R8 上的分压使A点电位升高，由VT2、VT3构成的互锁电路翻转，使VT5瞬时导通，关断功率MOSFET，使之得到有效保护。

R VT3 R_6} 平。D Ro VT FET VT5 VT VD R_10 TTT VD6

图2-48具有过载和短路保护功能的窄脉冲驱动电路

图2-49窄脉冲MOS化驱动电路

窄脉冲MOS化驱动电路。可以利用互锁电路的保持功能实现用窄脉冲驱动功率MOSFET。互锁电路由两个小功率MOSFET管的栅源交叉连接组成，如图2-49所示。这样组成了一个无源双稳态电路，C{1、C2、C是储能元件，它们可以是外接电容器，也可利用VT1、VT2和功率MOSFET的寄生电容。

EAVDA爱维达HQ60I工业级UPS不间断电源6KVA4800W钢铁冶金工业制造

在输人信号v；的上升沿，脉冲变压器的二次侧产生一个正向尖脉冲使C1充电，VT1开通，C_2通过VT放电使VT2关断，C由窄脉冲通过R8充电使功率MOSFET导通。反之，在输入信号:的下降沿，脉冲变压器的二次侧产生一个负向尖脉冲使C2充电VT2导通，C1和C通过VT2放电，最终VT 和功率MOSFET关断。增大C1、C2或改变Rg还可以对导通及关断时间进行调整。当电路开始接电时，VT1、VT2、功率MOSFET均处于关断状态，由于功率MOSFET的栅极都处于高阻抗状态，极易因干扰或噪声而使电容C1和C2充电，造成功率MOSFET误导通。为此设置了电阻Rd、C2,通过Rd对C2自动充电***功率MOSFET处于关断状态。

(5)功率MoSFET应用举例

1功率MOSFET的并联应用。功率MOSFET在并联应用中的关键问题是要做好电流的动态均衡分配。所谓动态电流不仅指开通和关断期间的电流，还指窄脉冲和占空比很小的峰值电流。影响动态电流均衡的因素主要是:跨导、开启电压、通态电阻和开关速度等。因此在使用中首先应使并联器件的参数分散性尽可能小，特别是转移特性一致。但是，要寻求参数完全相同的器件是很困难的，实际上只要在选取与匹配参数时考虑在电流分配不均的情况下负担最重的器件***在安全水平之内即可。

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