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参数
- 三安品牌
- SDS120J020H2型号
- TO-247-3L封装
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产品详情
相对于***代（硅基）半导体，第三代半导体禁带宽度大，电导***、热导***。第三代半导体的禁带宽度是***代和***代半导体禁带宽度的近3倍，具有更强的耐高压、高功率能力。
碳化硅器件在具体应用场景中表现出的特性是:
耐高温:硅基材料120°C场景需要散热，使用SiC在175°C结温不需要散热，可承受600°C以上高温环境。
碳化硅功率器件在高功***压领域有广泛的潜在应用，目前在600-1700V的光伏逆变、工业电源、新能源汽车、数据中心等领域已得到广泛应用。
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产品参数
- 三安
- SDS120J020H2
- TO-247-3L
- 2023+
- 50
- 650
- 1.35V
- 140A
- SiC
- 10μA
- -55~175℃
- 新能源
