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参数
- 士兰微品牌
- SVF10N65型号
- 绝缘栅(MOSFET)种类
广东 东莞
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产品详情
10A、650V N沟道增强型场效应管
型号：SVF10N65T/F/K/S
一、描述
常用MOS管提供的SVF10N65T/F/K/SN沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。***的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该常用MOS管产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
二、特点
∗ 10A，650V，RDS(on)(典型值)=0。8Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了dv/dt 能力
东莞市中铭电子有限公司
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中铭***：
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产品参数
- 士兰微
- SVF10N65
- 绝缘栅(MOSFET)
- N沟道
- 增强型
- SW-REG/开关电源
- SMD(SO)/表面封装
- MES金属半导体
