特价库存 BFV70374FP BFV80554Z
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特价库存 AFP2207 AFP2211 AFP2212
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特价库存 MHMD082P1V MHMD082PIU
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，中国（上海）自由贸易试验区临港新片区管委会副吴晓华及经贸办负责、伦茨集团CEO，董事会 Wendler先生、伦茨集团CTO Frank Maier先生、伦茨总裁，董事会执行董事谢卫东先生，以及众多行业媒体齐聚伦茨临港工厂，共同庆伦茨研发及应用中心迁驻临港这一盛事。
特点
SiC-SBD
与已有产品相比，功率损耗约减少21%*
通过减少功率损耗和高频动作，电抗器和散热板等部件能够做到小型化
采用JBS结构，电涌耐量高，有利于实现高度的可靠性
*
与本公司配置Si二管的功率率半导体模块DIPPFC?产品相比
内部模块图
内部模块图
功率损耗比较*
功率损耗比较
*
与本公司搭载有功率半导体模块DIPPFC?的Si二管产品相比
碳化硅的热传导率约为单晶硅的三倍，有效提高了散热能力。
得益于内置三相整流器，逆变器和制动器电路（CIB）的新产品加入，使得变频器器的设计大为简化
与本公司现有模块相比，CIB模块使得紧凑型变频器外型尺寸约可减小36%
搭载新推出的采用CSTBT?*1结构的第7代IGBT和采用RFC*2结构的二管，能够减少功率损耗
而新型封装结构可减少焊接层，提高热循环寿命，有助于提高工业设备的可靠性
新型的压接端子和PC-TIM*3，能够简化工业设备组装工艺
*1
CSTBT?：本公司利用载流子储存效应研发的IGBT
*2
RFC: Relaxed Field of cathode
*3
PC-TIM: Phase Change - thermal Interface Material (相变热界面材料)
采用新型结构，可靠性提高（热循环寿命提高）
采用新型结构，可靠性提高（热循环寿命提高）
匹配压配合端子（NX型）
可选择控制端子形状（焊接端子/压配合端子）
焊接工艺减少
匹配压配合端子（NX型）
Featured Products
3级变频器用功率模块
Power Modules for 3-level Inverters
兼容3电平逆变器，功耗约减少30%*1
开发了新型封装*2，有助于减少杂散电感，简化变频器电路结构
研发了体积小，低电感的新型封装以优化IGBT规格*3
产品阵容包括4in1*4/1in1/2in1*5形式，有利于变频器的小型化，可提高设计自由度
*1
搭载本产品的3电平逆变器与搭载本公司已有产品的2电平逆变器相比
*2
1in1/2in1产品的外型尺寸为130mm×67mm，4in1型外型尺寸为115mm×82mm，端子位置精心设计
*3
按照3电平逆变器的要求，对采用本公司CSTBT?（本公司利用载流子蓄电效果开发的IGBT）结构的IGBT规格进行优化
*4
4in1模块将3电平逆变器所需的1相结构封装在一个器件内
*5
共射连接的双向开关模块
内部电路图
内部电路图
特性参数表
适用于各种用途的SiC-SBD
主要用途
空调、光伏发电、充电基础设施、车载充电器等的电源系统
三菱电机在20世纪90年代初期就开始关注碳化硅材料，开展了很多关键技术研发。在2010年，三菱电机开发了世界上采用碳化硅功率模块的空调，随后在铁路和工业自动化(FA)等领域验证了碳化硅功率模块带来的节能效果。今后也将继续通过前沿研发和成果转化，持续提供有竞争力的碳化硅功率模块。
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