规格
产品属性 | 属性值 | 搜索类似 |
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制造商: | Infineon | |
产品种类: | IGBT 模块 | |
RoHS: | 详细信息 | |
产品: | IGBT Silicon Modules | |
集电极—发射极电压 VCEO: | 1700 V | |
集电极—射极饱和电压: | 2.2 V | |
在25 C的连续集电极电流: | 1400 A | |
栅极—射极漏泄电流: | 400 nA | |
Pd-功率耗散: | 9.55 kW | |
小工作温度: | - 40 C | |
工作温度: | + 150 C | |
封装: | Tray | |
技术: | Si | |
商标: | Infineon Technologies | |
安装风格: | Chassis Mount | |
栅极/发射极电压: | 20 V | |
产品类型: | IGBT Modules | |
工厂包装数量: | 2 | |
子类别: | IGBTs | |
零件号别名: | FF1400R17IP4BOSA1 SP000726974 FF1400R17IP4BOSA1 | |
单位重量: | 1.2 kg |