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超高分辨率电子束光刻EBL Ultrahigh Resolution EB Lithography

参数
  • 电子束EBL产品特性
  • 是否进口
  • 日本产地
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北京亚科晨旭科技有限公司 2年
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超高分辨率电子束光刻EBL
Ultrahigh Resolution EB Lithography (CABL-UH series)



纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是的方法之一。日本CRESTEC公司为21世纪***纳米科技提供*** 的电子束纳米光刻(EBL)系统,或称电子束直写(EBD)、电子束爆光系统。 

超高分辨率的电子束光刻CABL-UH系列的型号包括:
CABL-UH90 (90keV) CABL-UH110 (110keV) CABL-UH130 (130keV)

技术参数:
加速电压:130keV
单段加速能力达到130keV,尽量减少电子枪的长度
超短电子枪长度,无微放电
电子束直径<1.6nm
最小线宽<7nm
双热控制,实现超稳定直写能力


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