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Fet东沅 FKQ3909 N和P沟道双路MOSFE 耐压30V 低RDSON
- ¥0.01 ≥1000PCS起批
- 低栅极电荷产品特性
- Fet/东沅品牌
- FKQ3909型号
深圳市科瑞芯电子是Fet/东沅的供应商，商品原厂原装
可为终端客户提供样品及技术支持！
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型号：FKQ3909
封装：TSOP6
类型：N和P通道MOS管
品牌：Fet/东沅
温馨提示：公司产品丰富，如想求购具体型号可直接致电或QQ联系！
N和P沟道快速开关MOSFET参数
描述
FKQ3909是具有高单元密度的高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，为大多数小功率开关和负载开关应用提供了卓*越的RDSON和效率。FKQ3909符合RoHS和绿色产品的要求，并通过了全功能可靠性认证。
特征
● 绿色设备可用
● 低栅极电荷
● 出-色的CdV/dt效应下降
● 先-进的高细胞密度挖沟技术
电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）
● 漏源击穿电压：30V
● 静态漏极源导通电阻
VGS=10V，ID=3.4A: 52~60mΩ
VGS=4.5V，ID=3A: 57~65mΩ
VGS=2.5V，ID=2A: 70~85mΩ
● 栅极阈值电压：0.4~1.2V
● 漏源漏电流
VDS=24V，VGS=0V，TJ=25℃：1uA
VDS=24V，VGS=0V，TJ=55℃：5uA
● 栅源漏电流：±100nA
● 正向跨导：6S
● 闸门总电荷：8.4nC
● 栅极-源极电荷：1.6nC
● 栅极-漏极电荷：1.8nC
● 开机延迟时间：3.2ns
● 上升时间：41.8ns
● 关闭延迟时间：21.2ns
● 秋季时间：6.4ns
● 输入电容：662pF
● 输出电容：52pF
● 反向传输电容：45pF
产品规格书（部分），如需PDF文档请QQ索要或电话联系
科瑞芯电子秉持[追求品质、专*业诚信、持续创*新]的理念，为客户提供工业标品质、低成*本的半导体件，提供专*业技术支援及完*整的解决方案。持续追求、不断创*新以及提供更佳更广的准、高服务，协助客户及厂商提高竞争能力，致力于成为电子半导体通路商之一。
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- 20ns
- 沟槽式
- -55-150℃
- 表面贴装式
- 汽车电子、 智能家居、 家用电器、 照明电子、 3C数码、 可穿戴设备
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