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Fet东沅 FKL3101 P沟道MOS管 封装SOT223 耐压30V

参数
  • 低栅极电荷产品特性
  • Fet/东沅品牌
  • FKL3101型号
广东 深圳 2天内发货 100000PCS
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产品详情

东沅(Fetek)FKL3101,P沟道30V快速开关MOSFET,封装SOT223

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产品说明

描述

FKL3101是高单元密度沟槽P ch MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出-色的RDSON和栅极电荷。FKL3101符合RoHS和绿色产品要求,100.00%EAS保-证,全功能可靠性得到批准。


特征

● 保-证100.00%EAS

● 绿色设备可用

● 低RDS(ON)

● 出-色的CdV/dt效应下降

● ***的高细胞密度挖沟技术


电气特性(TJ=25℃,除非另有说明)

● 漏源击穿电压:-30V

● 参考温度系数:-0.023V/℃

● 静态漏极源导通电阻

VGS=-10V,ID=-4A: 42~52mΩ

VGS=-4.5V,ID=-3A: 75~90mΩ

● 栅极阈值电压:-1.2V-1.6V-2.5V

● 温度系数:4mV/℃

● 漏源漏电流

VDS=-24V,VGS=0V,TJ=25℃:-1uA

VDS=-24V,VGS=0V,TJ=55℃:-5uA

● 栅源漏电流:±100nA

● 正向跨导:11S

● 闸门总电荷:6.4~9.0nC

● 栅极-源极电荷:2.3~3.2nC

● 栅漏电荷:1.9~2.7nC

● 开机延迟时间:2.8~5.6ns

● 上升时间:8.4~15.1ns

● 关机延迟时间:39~78.0ns

● 秋季时间:6~12.0ns

● 输入电容:583~816pF

● 输出电容:100~140pF

● 反向转移电容:80~112pF


产品规格书(部分),如需PDF文档请QQ索要或电话联系


深圳市科瑞芯电子为多家国内外半导体厂商代理及方案合作商,产品多,规格全,质量优,供应及时,交货快捷。

主要耕耘市场为:

适配器、PD充电器、移动电源、无线充电源、户外储能电源、光伏储能、多媒体音响、HUB集线器、多功能扩展坞、家用电器、汽车电子等领域。

主要经营的品牌有:

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公司主营产品:

肖特基二极管、整流二极管、桥堆、电池充电管理IC、场效应管MOS、MCU、稳压IC、LDO低压差线性、三极管、AC-DC电源、DC-DC电源等,更多产品类型欢迎到店铺查看或来电咨询!



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