一、设备简介
本装置作为***面向功率器件的激光退火装置,可用于SiC欧姆接触的生成,活性化等众多领域。在抑制非照射面温度上升的同时,高温加热SiC界面,并通过OPTSWING(高速扫描方式)实现欧姆接触的生成。
二、设备特性
通过搭载OPTSWING系统,驱动光束的移动进行扫描,实现高速扫描与高处理量。
小片到8寸晶圆均可对应。
搭载Top-hat Beam,确保界面内温度的均匀性。
通过温度模拟技术,调整退火条件。
工序气体管控。
各种监控机能(Beam形状等)
三、技术参数
设备型号 | SWA-20US | SWA-20US-M |
激光功率 | 10W | 10W |
光束尺寸 | Φ100um | Φ100um |
扫描方法 | Galvano扫描 | Galvano扫描 |
加工尺寸 | 4~8inch | 10mm~6inch |
光束模式 | Top-hat | Top-hat |
晶片搬送 | 全自动(机器人) | 手动 |
处理能力 | >6片@6寸 OVL67/50 | >4片@6寸 OVL67/50 |
监控功能 | 激光功率、能量、光束轮廓 | 能量、光束轮廓 |
工艺气体 | Air、N2、Ar等 | Air、N2、Ar等 |
工艺温度 | 室温 | 室温 |
设备尺寸 | W1450mm×D2900mm×H2300mm | W900mm×D1800mm×H2225mm |