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EVG®810 LT LowTemp™ Plasma Activation System
EVG®810LT LowTemp™等离子激活系统
适用于SOI，MEMS，化合物半导体和***基板键合的低温等离子体活化系统
技术数据
EVG810 LT LowTemp™等离子活化系统是具有手动操作的单腔独立单元。 处理室允许进行异位处理（晶圆被一一激活并结合在等离子体激活室外部）。
特征
表面等离子体活化，用于低温粘结（熔融/分子和中间层粘结）
晶圆键合机制中最快的动力学
无需湿工艺
低温退火（400°C）下的粘结强度
适用于SOI，MEMS，化合物半导体和***基板粘接
高度的材料兼容性（包括CMOS）
EVG810 LT技术数据
晶圆直径（基板尺寸）：50-200、100-300毫米
LowTemp™等离子活化室
工艺气体：2种标准工艺气体（N2和O2）
通用质量流量控制器：自校准（高达20.000 sccm）
真空系统：9x10-2 mbar
腔室的打开/关闭：自动化
腔室的加载/卸载：手动（将晶圆/基板放置在加载销上）
可选功能
卡盘适用于不同的晶圆尺寸
无金属离子活化
混合气体的其他工艺气体
带有涡轮泵的高真空系统：9x10-3 mbar基本压力
符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统
Si：Si / Si，Si / Si（热氧化，Si（热氧化）/ Si（热氧化）
TEOS / TEOS（热氧化）
绝缘体锗（GeOI）的Si / Ge
硅/氮化硅
玻璃（无碱浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃
化合物半导体：GaAs，GaP，InP
聚合物：PMMA，环烯烃聚合物
用户可以使用上述和其他材料的“已知方法”配方（可根据要求提供完整列表）
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产品参数
- 国内总代
- 是
- EVG
- EVG®810LT LowTemp™等离子激活系统
- 适用于SOI，MEMS，化合物半导体和先进基板键合的低温等离子体活化系统
- 111111
- 111111
- 键合机
- EVG®810LT LowTemp™等离子激活系统
- 否
