Micro Resist光刻胶

面议

参数

否是否进口
光刻胶产品名称

发货地湖北武汉不限

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Micro Resist光刻胶面议

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产品详情

IPNR-T1000 Thermoplastic nanoimprint resist 热塑型纳米压印胶
分辨率低于10nm
低压力压印(<20 bar)
低温压力(<100 ℃)

IPNR-T2000 Thermal curable nanoimprint resist 热固化型纳米压印胶
分辨率低于10nm
低压力压印(<1 bar)以及低固化温度(<100 ℃)
热固化时间短(<60 s)
高氧等离子体刻蚀电阻
均一的膜厚度

IPNR-PC1000 Photo-curable nanoimprint resist (Free radical initiation) 光固化型纳米压印(自由基引发)
丙烯酸酯官能化聚硅氧烷抗蚀剂
真空或者氮气气氛下操作
低于10nm的分辨率
低压力压印以及超快固化时间(<10 s)
低紫外照射量
高氧等离子体刻蚀电阻
均一的膜厚度

IPNR-PC2000 Photo-curable nanoimprint resist (cation intiation) 光固化纳米压印蚀剂(阳离子引发)
乙烯基醚官能化聚硅氧烷抗蚀剂
空气气氛下操作
分辨率低于10nm
低压力压印(<1 bar)以及超快固化时间(<1 bar)
低紫外照射量
高氧等离子体刻蚀电阻
均一的膜厚度

IPNR-UL1000 Under-layer polymer 举离型传递层材料
热塑聚合物发送过程
强粘附抗蚀剂层以及材料

IPNR-UL2000 Under-layer polymer 刻蚀型传递层材料
热固性聚合物刻蚀面罩过程
强粘附抗蚀剂层以及材料

IPNR-UPM Quick mold fabrication material 快速模板制作材料
快速而简单的塑造材料
高分辨率以及低成本
极好的化学性以耐温性
塑造优良的附着力基板
可靠的脱模性

IPNR-AP Chlorosilane based adhesion promoter 氯硅烷增粘剂
促进和基材之间的附着力
气相或者液相处理