普通二极管
普通二极管(general purpose diode)又称整流二极管(rectifier diode),多用于开关频20 对二极
(1)不不在路量好坏,女红表棒接内电池的i 较小,一阻值很大则说明二电阻时,向偏置电阻值均很
(2) a. 断同,只是考,要根下,对其b.通导通后的毛造电流
第2章常用电力电子器件
率不高(lkHz以下)的整流电路中。其反向恢复时间较长,一般在5us 以上,这在开关频率不高时并不重要,在参数表中甚至不列出这一参数。但其正向电流定额和反向电压定额却可以达到很高,分别可达数千安和数千伏以上。
(2)快恢复二极管
恢复过程很短,特别是反向恢复过程很短(一般在5us 以下)的二极管被称为快恢复二极管(FRD--fast recovery diode),简称快速二极管。工艺上多采用了掺金措施,结构上有的采用PN结型结构,也有的采用对此加以改进的PiN结构。特别是采用外延型PiN结构的所谓的快恢复外延二极管(FRED-fast recovery epitaxial diodes),其反向恢复时间更短(可低于50ns),正向压降也很低(0.9v左右),但其反向耐压多在1200v以下。不管是什么结构,快恢复二极管从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或***,后者则在100ns以下,甚至达到20~30ns。
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ST系列 | ||||||
型号 | 容量 | 功率 | 尺寸 | 重量 | 类型 | 电压 |
金武士 ST1KVA 三电平 | 1KVA | 0.9kW | 280*144*230mm | 7.8kg | 塔式 、单机式、高频在线 | 24V |
金武士 ST1KS 三电平 | 1KVA | 0.9kW | 280*144*230mm | 4.2kg | 塔式 、单机式、高频在线 | 36V |
金武士 ST2KVA 三电平 | 2KVA | 1.8kW | 400*144*230mm | 13.3kg | 塔式 、单机式、高频在线 | 48V |
金武士 ST2KS 三电平 | 2KVA | 1.8kW | 400*144*230mm | 6.4kg | 塔式 、单机式、高频在线 | 72V |
金武士 ST3KVA 三电平 | 3KVA | 2.7kW | 425*190*328mm | 23.4kg | 塔式 、单机式、高频在线 | 72V |
金武士 ST3KS 三电平 | 3KVA | 2.7kW | 400*144*230mm | 6.5kg | 塔式 、单机式、高频在线 | 96V |
高频逆变器HI-3500 | 3.5KVA | 3500W | 产品:440*300*115 | 产品:9kg 产品包装:10.5kg | 、高频在线 | 230V |
高频逆变器HI-5500 | 5.5KVA | 5500W | 440*300*115 | 10kg | 、高频在线 | 230Vac |
肖特基二极管
常正在。
以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管(SBD schottky barrier diode),简称为肖特基二极管。肖特基二极管在信息电子电路中早就得到了应用,但是直到20世纪80年代,由于工艺的发展才得以在电力电子电路中广泛应用。与以PN结为基础的电力二极管相比,其优点在于:反向恢复时间短(10~40ns)、效***。肖特基二极管在正向恢复过程中不会有明显的电压过冲,在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小,明显低于快恢复二极管。因此,其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小。其弱点在于:当所能承受的反向耐压提高时,其正向压降也会高得不能满足要求,因此多用于200V以下的低压场合;反向漏电流较大且对温度敏感,因此其反向稳态损耗不能忽略,而且必须更严格地限制其工作温度。
2.1.5检测方法
对二极管的检测主要使用万用表,可分为不在路和在路两种检测方法。(1)不在路检测不在路检测主要是用万用表欧姆挡(R×lk)挡测量二极管的正、反向电阻来判断其质量好坏,如图2-5所示。
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图2-5(a)是测量二极管正向电阻示意图,黑表棒接二极管的正极,红表棒接二极管的负极,此时表内电池给二极管加的是正向偏置电压(万用表内黑表棒接表内电池的正极,黑表棒接正极是给二极管加上正向偏置电压),表针所指示的正向电阻阻值较小,一般为几千欧。若测量二极管的正向电阻值为零说明二极管已短路;若测量的正向电阻值很大(几百千欧),则说明二极管的性能已变差;若测量二极管的正向电阻值为无穷大,则说明二极管开路。如图2-5(b)所示为测量二极管反向电阻的示意图。在测量二极管反向电阻时,黑表棒接二极管的负极,红表棒接二极管的正极,此时表内电池给二极管加的是反向偏置电压,表针所指示的反向电阻阻值较大,一般为几百千欧以上。若测量的正、反向电阻值均很小,则说明二极管已击穿短路。
(2)在路检测
a.断电下的检测。此时是测量二极管的正、反向电阻,具体方法与不在路时的方法相同,只是要注意外电路对测量结果的影响,测得的阻值为整个电路的等效电阻,只能供参考,要根据电路结构和经验来进行二极管的在路检测判断,如果无法判断,只能将二极管焊下,对其进行不在路检测。
b.通电情况下的检测。此时主要是测量二极管的管压降。
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以说明二极管在电路中工作是
UPS电源技术及应用
图2-5万用表测量二极管示意图
基本正常的,依据这一原理可以在通电时测量二极管的好坏,具体方法是:给电路通电,用万用表的直流电压挡,红表棒接二极管的正极,黑表棒接二极管的负极,此时表针所指示的电压值为二极管上的正向电压降。对硅二极管而言,这一压降应该为0.6~0.7V左右,否则说明二极管可能出现了故障。若电压降为远大于0.6~0.7V,说明二极管已开路。若电压降远小于0.6~0.7V,有可能是二极管击穿,也有可能是其他电路的故障,此时改用不在路测量其正、反向电阻,进一步判断其质量优劣。
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S8518
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