取消

不间断 ups不间断稳压器不间断不间断在线式后备式不间断应急源不间断不间断蓄电池艾默生不间断蓄电池不间断在线式不间断

商品
详情

LADS雷迪司GR3KL机架式UPS不间断电源3000VA2400W长机外接电池柜

¥2268.00 1 - 2台
¥2259.00 3 - 9台
¥2241.00 ≥10台

参数

稳压稳频产品特性
否是否进口
深圳产地

发货地山东济南 3天内发货供货总量19018台

山东鼎控电源科技有限公司 1年: 进入店铺在线咨询

LADS雷迪司GR6K机架式UPS不间断电源6000VA4800W标准机内置蓄电池 ¥3375.00

LADS雷迪司GR6KL机架式UPS不间断电源6000VA4800W长机外接电池柜 ¥3375.00

LADS雷迪司GR10K机架式UPS不间断电源10000VA8000W标准机内置电池 ¥6777.00

LADS雷迪司GR10KL机架式UPS不间断电源10000VA8000W长机外接电池 ¥4878.00

LADS雷迪司G1K塔式UPS不间断电源1000VA800W标准机内置蓄电池 ¥963.00

LADS雷迪司G1KL塔式UPS不间断电源1000VA800W长效机外接电池柜 ¥963.00

产品详情

开通时间c分为延时时间t和上升时间:，两部分，ton与功率MOSFET的开启电压UGs(th)和输入电容Cis有关，并受信号源的上升时间和内阻的影响。关断时间to可分为储存时间:、和下降时间t两部分，to 则由功率MOSFET漏源间电容CDs和负载电阻决定。通常功率MOSFET的开关时间为10~100ns,而双极型器件的开关时间则以微秒计，甚至达到几十微秒。

2.3.3 主要参数

流在负田

(1)通态电阻Ron

通态电阻Ro是与输出特性密切相关的参数，是指在确定的栅源电压Ucs下，功率MOSFET由可调电阻区进入饱和区时的集射极间的直流电阻。它是影响输出功率的重要参数。在开关电路中它决定了输出电压幅度和自身损耗大小。

LADS雷迪司GR3KL机架式UPS不间断电源3000VA2400W长机外接电池柜

在相同的条件下，耐压等级愈高的器件，其通态电阻愈大，且器件的通态压降愈大。这也是功率MOSFET电压难以提高的原因之一。

由于功率MOSFET的通态电阻具有正电阻温度系数，当电流增大时，附加发热使Ran

增大，对电流的增加有抑制作用。

(2)开启电压Ucs(th)

开启电压UcS(t为转移特性曲线与横坐标交点处的电压值，又称阈值电压。在实际应用中，通常将漏栅短接条件下ID等于1mA时的栅极电压定义为开启电压Ucs(tb,它随结温升高而下降，具有负的温度系数。

(3)跨导gm

跨导定义为g-△Ip/AUcs,即为转移特性的斜率，单位为西门子(S).8表示功率MOSFET的放大能力，故跨导gm的作用与GTR 中电流增益相似。

(4)漏源击穿电压BUps

漏源击穿电压BUDs决定了功率MOSFET的工作电压，它是为了避免器件进入雪崩区而设的极限参数。BUps主要取决于漏区外延层的电阻率、厚度及其均匀性。由于电阻

A-UPS电源??蓄电池:

UPS电源技术及应用

率随温度不同而变化，因此当结温升高，BUps随之增大，耐压提高。这与双极型器件长GTR和晶闸管等随结温升高耐压降低的特性恰好相反。

LADS雷迪司GR3KL机架式UPS不间断电源3000VA2400W长机外接电池柜

(5)栅源击穿电压BUes

栅源击穿电压BUcs是为了防止绝缘栅层因栅漏电压过高而发生介电击穿而设定的数。一般栅源电压的极限值为士20V。

(6)功耗PpM

依次做下述测量，1将万用表置然后将红表笔接漏

PDM=(T3M-Tc)/RrC

功率MOSFET功耗为

式中，TM为额定结温(TjM=150℃);Tc为管壳温度；RTjc为结到壳间的稳态热阻由上式可见，器件的耗散功率与管壳温度有关。在TjM和 RTjC为定值的条件下PDM将随Tc的增高而下降，因此，器件在使用中散热条件是十分重要的。

(7)漏极连续电流Ip和漏极峰值电流I DM

漏极连续电流ID和漏极峰值电流I pM表征功率MOSFET的电流容量，它们主要受线温的限制，功率MOSFET允许的漏极连续电流Ip是

ID=√PDM/Ron=√(TM一Tc)/RonRTiC

实际上功率MOSFET的漏极连续电流Ip通常没有直接的用处，仅是作为一个基准这是因为许多实际应用的MOSFET是工作在开关状态中，因此在非直流或脉冲工作情况，其漏极电流由额定峰值电流I DM定义。只要不超过额定结温，峰值电流I DM可以超过续电流。在25℃时，大多数功率MOSFET的IDM大约是连续电流额定值的2~4倍。

此外值得注意的是:随着结温T升高，实际允许的ID和I DM均会下降。如型号为

IRF330的功率MOSFET，当Tc=25℃时，Ip为5.***,当Tc=100℃时，ID为3.3A 所以在选择器件时必须根据实际工作情况考虑裕量，防止器件在温度升高时，漏极电流降低而损坏。

LADS雷迪司GR3KL机架式UPS不间断电源3000VA2400W长机外接电池柜

(1)判别管脚

1判别栅极G。将万用表置于RX1k挡，分别测量3个管脚间的电阻，如果测得某管脚与其余两管脚间的电阻值均为无穷大，且对换表笔测量时阻值仍为无穷大，则证明此脚是栅极G。因为从结构上看，栅极G与其余两脚是绝缘的。但要注意，此种测量法仅对管内无保护二极管的VMOS管适用。

判定源极S和漏极D。由VMOS管结构可知，在源-漏极之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异的特点，可准确识别源极S和漏极D。将万用表置于RX1k 挡，先用一表笔将被测VMOS管3个电极短接一下，然后用交换表笔的方法测两次电阻，如果管子是好的，必然会测得阻值为一大一小。其中阻值较大的一次测量中，黑表笔所接的为漏极D，红表笔所接的为源极S，而阻值较小的一次测量中，红表笔所接的为漏极D，黑表笔所接的为源极S，这种规律还证明，被测管为N沟道管。如果被测管子为P沟道管，则所测阻值的大小规律正好相反。

图2-38

上述测表笔的位置2.3.5驱

(2)好坏的判别

用万用表R×1k挡去测量场效应管任意两引脚之间的正、反向电阳值。如果出现两次

及两次以上电阻值较小(几乎为0),则该场效应管损坏；如果仅出现一次电阳值较小( 般为数百欧)，其余各次测量电阻值均为无穷大，还需作进一步判断。以 N沟道管为例，司

1T IG(on)和吸开集电极动器驱动.

为您推荐