EAVDA爱维达HQ3115RL工频机架式UPS不间断电源1KVA12KW消防监控

¥2196.00 1 - 2
¥2187.00 3 - 9
¥2178.00 ≥10

参数

稳压稳频产品特性
否是否进口
深圳产地

发货地山东济南 7天内发货供货总量20230713台

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EAVDA爱维达HQ3120RL工频机架式UPS不间断电源1KVA16KW门禁电梯 ¥2673.00

EAVDA爱维达HQ10I工业级UPS不间断电源1KVA800W电力石油工业制造 ¥1179.00

EAVDA爱维达HQ20I工业级UPS不间断电源2KVA1600W轨道交通军工海工 ¥1377.00

EAVDA爱维达HQ30I工业级UPS不间断电源3KVA2400W化工航空船舶冶金 ¥1674.00

EAVDA爱维达HQ50I工业级UPS不间断电源5KVA4000W轨道交通煤炭电力 ¥1971.00

EAVDA爱维达HQ60I工业级UPS不间断电源6KVA4800W钢铁冶金工业制造 ¥2277.00

产品详情

这也是功率MOSFET电压难以提高的原因之一。

由于功率MOSFET的通态电阻具有正电阻温度系数，当电流增大时，附加发热使Ron 增大，对电流的增加有抑制作用。

(2)开启电压UcS(th)

开启电压UcS(tb为转移特性曲线与横坐标交点处的电压值，又称阀值电压。在实际应用中，通常将漏栅短接条件下Ip等于1mA时的栅极电压定义为开启电压UcS(th,它随结温升高而下降，具有负的温度系数。

(3)跨导gm

跨导定义为g，AID/AUGs,即为转移特性的斜率，单位为西门子(S)。g表示功率MOSFET的放大能力，故跨导g的作用与GTR中电流增益8相似。

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(4)漏源击穿电压BU ps

漏源击穿电压BUDs决定了功率MOSFET的工作电压，它是为了避免器件进人雪崩区而设的极限参数。BUDs主要取决于漏区外延层的电阻率、厚度及其均匀性。由于电阻UPS电满技术及应用随益度不同而变化、因此当结温升高，BUns随之增大，耐压提高。这与双板型器件GTR和晶闸管等随结升高耐压降低的特性恰好相反。

5)柳菠击电压RU

耕源击穿电压BUc8是为了防止绝缘栅层因栅漏电压过高而发生介电击穿而设定的数，一般栅源电压的极限值为士20V.

(6)功Pm 功率MOSFET功耗

PD=(T3M-Tc)/Rric

式中，T为额定结温(T3M=150℃):Tc为管壳温度；RTic为结到壳间的稳态热阳

EAVDA爱维达HQ3115RL工频机架式UPS不间断电源1KVA12KW消防监控

由上式可见，器件的耗散功率与管壳温度有关。在TjM和RTjc为定值的条件下Prx{将随Tc的堵高而下降，因此，器件在使用中散热条件是十分重要的。

(7)漏极莲续电流I，和漏极峰值电流IpM

涛连续电流ID和漏极峰值电流IDM表征功率MOSFET的电流容量，它们主要受结的限制，功率MOSFET允许的漏极连续电流ID是

ID=、√P DM/Ron=√(TM-Tc)/RonRTiC

实际上功率MOSFET的漏极连续电流Ip通常没有直接的用处，仅是作为一个基准

这是因为许多实际应用的MOSFET是工作在开关状态中，因此在非直流或脉冲工作情况，其漏极电流由额定峰值电流IDM定义。只要不超过额定结温，峰值电流IDM可以超过连续电流。在25℃时，大多数功率MOSFET的IDM大约是连续电流额定值的2~4倍。

此外值得注意的是:随着结温T升高，实际允许的ID和I DM均会下降。如型号为IRF330的功率MOSFET，当Tc=25℃时，Ip为5.5A,当Tc=100℃时，ID为3.3A, 所以在选择器件时必须根据实际工作情况考虑裕量，防止器件在温度升高时，漏极电流降低而损坏。

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温度过高。温度过高会使电池自放电的速度加快，且容易在极板内层形成颗粒粗大的晶体。

(3)硫化的处理

过量充电法。当铅蓄电池的硫化程度轻微时，可用过量充电法。即用专门的充放电仪单独对硫化电池进行较长时间的过量充电，反复充放电法。当铅蓄电池的硫化程度较严重，用过量充电法不能恢复时，可用反复充放电法。如果有阀控式密封铅蓄电池专用的修复落后电池的充放电仪，可直接用它作反复的充放电处理。实际上，硫化比较严重的阀控式密封铅蓄电池往往都伴随有失水现象，所以，如果容量恢复的效果不好，则可设法打开电池，补加适量的纯水，再处理硫化故障。如果没有专门的充放电仪，则可打开电池补加适量纯水后，用处理普通铅蓄电池硫化的方法进行处理，脉冲充电法。用脉冲充电法处理硫化是近年来兴起的容量恢复技术，这种方法必须用专门的脉冲充电仪器来进行。

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