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CPSY商宇S2000后备式UPS不间断电源2KVA1200W内置蓄电池更换维修

¥1233.00 1 - 2
¥1224.00 3 - 9
¥1215.00 ≥10

参数

稳压稳频产品特性
否是否进口
深圳产地

发货地山东济南 7天内发货供货总量182799只

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CPSY商宇HP1101B高频UPS不间断电源1KVA800W标机内置蓄电池更换 ¥1215.00

CPSY商宇HP1101H高频UPS不间断电源1KVA800W长效机外接蓄电池柜 ¥1215.00

CPSY商宇HP1102B高频UPS不间断电源2KVA1600W标机内置蓄电池更换 ¥1215.00

CPSY商宇HP1102H高频UPS不间断电源2KVA1600W长效机外接蓄电池柜 ¥1215.00

CPSY商宇HP1103B高频UPS不间断电源3KVA2400W标机内置蓄电池更换 ¥1215.00

CPSY商宇HP1103H高频UPS不间断电源3KVA2400W长效机外接蓄电池柜 ¥1215.00

产品详情

检测方法

(1)判别管脚

1判别栅极G。将万用表置于RX1k挡，分别测量3个管脚间的电阻，如果测得某管脚与其余两管脚间的电阻值均为无穷大，且对换表笔测量时阻值仍为无穷大，则证明此脚是栅极G。因为从结构上看，栅极G与其余两脚是绝缘的。但要注意，此种测量法仅对管内无保护二极管的VMOS管适用。

判定源极S和漏极D。由VMOS管结构可知，在源-漏极之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异的特点，可准确识别源极S和漏极D。将万用表置于RX1k 挡，先用一表笔将被测VMOS管3个电极短接一下，然后用交换表笔的方法测两次电阻，如果管子是好的，必然会测得阻值为一大一小。其中阻值较大的一次测量中，黑表笔所接的为漏极D，红表笔所接的为源极S，而阻值较小的一次测量中，红表笔所接的为漏极D，黑表笔所接的为源极S，这种规律还证明，被测管为N沟道管。如果被测管子为P沟道管，则所测阻值的大小规律正好相反。

图2-38

上述测表笔的位置2.3.5驱

(2)好坏的判别

用万用表R×1k挡去测量场效应管任意两引脚之间的正、反向电阳值。如果出现两次

及两次以上电阻值较小(几乎为0),则该场效应管损坏；如果仅出现一次电阳值较小( 般为数百欧)，其余各次测量电阻值均为无穷大，还需作进一步判断。以 N沟道管为例，司46 功率类:直接

1T IG(on)和吸开集电极动器驱动件如

第2章常用电力电子器件

的参依次做下述测量，以判定管子是否良好。

CPSY商宇S2000后备式UPS不间断电源2KVA1200W内置蓄电池更换维修

1将万用表置于R×1k挡。先将被测vMos管的栅极G与源极S用镊子短接一下，然后将红表笔接漏极D，黑表笔接源极S，所测阻值应为数千欧，如图2-36所示。

结图2-36测VMOS管RsD 图2-37 短接G与S，测VMOS管Rps 维B连

先用导线短接G与S，将万用表置于RX10k挡，红表笔接S，黑表笔接D，阻值应接近无穷大，否则说明VMOS管内部PN结的反向特性较差，如图2-37所示。

3紧接上述测量，将G与S间短路线去掉，表笔位置不动，将D与G短接一下再脱开，相当于给栅极注入了电荷，此时阻值应大幅度减小并且稳定在某一阻值。此阻值越小说明跨导值越高，管子的性能越好。如果万用表指针向右摆幅很小，说明VMOS管的跨导值较小。具体测试操作如图2-38所示。

D过电流检测电路。过电流检测电路一般由电流取样、电流电压信号变换及门限比较等环节组成，如图5-10所示。其工作原理为:逆变器输出电流i。通过电流互感器及固定负载变换威电压信号，该信号经全桥整流滤波后成为直流电压信号，直流电压信号随i。的变化面变化，只要i。超过规定的上限值，比较器的输出信号就由“1”跳变为“0”

②负载电流过零检测电路。电流过零检测电路如图5-11所示。其中N2为电压线圈，N:为电流线圈。电流过零检测电路的功能是将负载电流i过零变换为控制信号。当负载电流为军时，N,不起作用面N:起作用，采用电压过零点为控制转换点;当负载电流不为零时，则N;的作用远大于N2，此时以电流过零点为控制转换点，

511所示电流过军检测电路的工作原理是，无论有否输出电流，V，总可以视为正弦信号，该信号经正反向刚波电路和整彤电路后，在U，输出端得到与V;同顾同相的方该，然据能门限逻铜整彤后输出，工作过程中的各点被形如图6-12所示。

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(3)同步检测电路

同步检测电路的功能是检测市电与逆变器的输出电压是否可步，如图5-13所示。图中B,~B,为降压隔离变压器，由U,~Us等组成异或门鉴相器，由VD,~VD,及U，等组成幅值鉴别器。其工作原理是:若V和V2同相也同频，则U;输出为“0”;若V,与V2的相位或频率差超过规定值，则Us输出为“1”;若V,与Vz幅差超过规定范围，则U，输出为“1”，否则U;输出为“0”。然后将鉴幅和鉴相的输出信号经或门U。汇总成信号 SYNC。很明显，当V与V2同步时，SYNC为“0”，无论是相位或幅值超出规定范围则SYNC为“1”

(4)控制门电路

控制门电路的功能是:转换开关不切换时，负载电流的过零信号便照常发出，使转换开关维持原有状态;需要转换开关切换时，在负载电流过零时切断一路脉冲而接通另一路脉神，图5-14为转换开关为双向晶闸管时的一种控制门电路，

5.3保护电路

目前，虽然功率开关器件的容量提高很快，性能也有***改善，尤其是可承受过压、过流的能力有***提高，但它与一般机电类产品相比，在承受过载能力上仍有较大差距。而功率开关器件在UPS中担任着功率变换的重任，所以必须设置相应的保护电路，以防因功率开关器件损坏面造成严重后果。

CPSY商宇S2000后备式UPS不间断电源2KVA1200W内置蓄电池更换维修

S系列后备机 S1000-2000
型号	S1000 / S1050	S1500	S2000
额定容量	1000VA/600W	1500VA/900W	2000VA/1200W
输入
电压	220/230/240VAC
电压范围	162-290 VAC
频率	60/50 Hz (自动侦测)
输出
输出电压	220/230/240 VAC
电压范围(电池模式)	± 10%
频率范围(电池模式)	50 Hz 或 60 Hz ± 1 Hz
转换时间	一般 4-10ms
波形 (电池)	模拟正弦波
电池
电池型号 & 数量	12 V/7 Ah x 2	12 V/9 Ah x 2	12 V/9 Ah x 2
充电时间	4-6 小时充至 90%	4-6 小时充至 90%	4-6 小时充至 90%
保护功能
全面保护	过载, 深度放电及过充保护
指示灯说明
LCD 显示	负载大小, 电池容量,市电模式,电池模式, 旁路模式, 故障指示
LED 机型	市电模式	绿灯亮	绿灯亮
电池模式	绿灯闪	黃灯闪
错误	闪	紅灯亮
警告声音
电池模式	每 10 秒响一声
电池电量低	每 1 秒响一声
过载	每 0.5 秒响一声
错误	连续鸣响
物理性能
LED 机型	尺寸,DWH	325 x 140 x 185	-	-
净重 (KG)	9.2	-	-
LCD 机型	尺寸,DWH	325 x 140 x 185	325 x 140 x 185	325 x 140 x 185
净重 (KG)	9.2	10.9	10.9
使用环境
湿度	10-90% 湿度且 0-40°C 温度
噪音	小于 40dB
*1 S1000为LED显示型号
S1050、S1500、S2000为LCD显示型号
*2：以上产品性能数据由商宇基于受控环境测试记录，实际参数以我司出具的参数确认函为准。
*3：产品规格有所变更时，并不另行通知，敬请见谅。

CPSY商宇S2000后备式UPS不间断电源2KVA1200W内置蓄电池更换维修

开通时间c分为延时时间t和上升时间:，两部分，ton与功率MOSFET的开启电压UGs(th)和输入电容Cis有关，并受信号源的上升时间和内阻的影响。关断时间to可分为储存时间:、和下降时间t两部分，to 则由功率MOSFET漏源间电容CDs和负载电阻决定。通常功率MOSFET的开关时间为10~100ns,而双极型器件的开关时间则以微秒计，甚至达到几十微秒。

2.3.3 主要参数

流在负田

(1)通态电阻Ron

通态电阻Ro是与输出特性密切相关的参数，是指在确定的栅源电压Ucs下，功率MOSFET由可调电阻区进入饱和区时的集射极间的直流电阻。它是影响输出功率的重要参数。在开关电路中它决定了输出电压幅度和自身损耗大小。

在相同的条件下，耐压等级愈高的器件，其通态电阻愈大，且器件的通态压降愈大。这也是功率MOSFET电压难以提高的原因之一。

由于功率MOSFET的通态电阻具有正电阻温度系数，当电流增大时，附加发热使Ran

增大，对电流的增加有抑制作用。

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(2)开启电压Ucs(th)

开启电压UcS(t为转移特性曲线与横坐标交点处的电压值，又称阈值电压。在实际应用中，通常将漏栅短接条件下ID等于1mA时的栅极电压定义为开启电压Ucs(tb,它随结温升高而下降，具有负的温度系数。

(3)跨导gm

跨导定义为g-△Ip/AUcs,即为转移特性的斜率，单位为西门子(S).8表示功率MOSFET的放大能力，故跨导gm的作用与GTR 中电流增益相似。

(4)漏源击穿电压BUps

漏源击穿电压BUDs决定了功率MOSFET的工作电压，它是为了避免器件进入雪崩区而设的极限参数。BUps主要取决于漏区外延层的电阻率、厚度及其均匀性。由于电阻

率随温度不同而变化，因此当结温升高，BUps随之增大，耐压提高。这与双极型器件长GTR和晶闸管等随结温升高耐压降低的特性恰好相反。

(5)栅源击穿电压BUes

栅源击穿电压BUcs是为了防止绝缘栅层因栅漏电压过高而发生介电击穿而设定的数。一般栅源电压的极限值为士20V。

(6)功耗PpM

依次做下述测量，1将万用表置然后将红表笔接漏PDM=(T3M-Tc)/RrC 功率MOSFET功耗为式中，TM为额定结温(TjM=150℃);Tc为管壳温度；RTjc为结到壳间的稳态热阻由上式可见，器件的耗散功率与管壳温度有关。在TjM和 RTjC为定值的条件下PDM将随Tc的增高而下降，因此，器件在使用中散热条件是十分重要的。

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