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硅材料因导电率不及金属，且随温度升高而增加，因而具有半导体性质。微电子领域对靶材溅射薄膜的品质和电阻要求是相当苛刻的。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。电阻率是硅靶材产品的重要参数之一，除特殊用途外，绝大多数硅靶材电阻率要求越低越好，开始应用时电阻率要求在0.1-0.5Ω·cm范围内，逐渐降低至小于0.1Ω·cm。
目前标准电阻率为0.02-0.04Ω·cm。为克服现有技术的不足，UVTM的研发人员开发了一种***阻硅靶材，在硅材料中掺入处理过的高硼含量母合金，使硅靶材的电阻率小于0.01Ω·cm。纯度大于5N，且致密度大于99％。传统的覆于电子产品玻璃面板表面的黑化膜对光的反射强。
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