特价库存 MSMD042P1U MSMD042P1V
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如今，伦茨已经成为自动化驱动设备完整解决方案的提供者，精湛的制造工艺和现代化大规模生产手段使其产品以低回差、低噪音、高等突出特点，得到市场和客户的一致认可。
用途广泛的各类碳化硅(SiC)功率模块有着优异特性的碳化硅(SiC)
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有着优异特性的碳化硅 优异的散热效果
优异的散热效果
变频器参数设置
Pr117=1 站号（1-31）
Pr118=192 （波特率 192 表示 19200）
Pr119=1（1 表示停止位 2 位，数据位 8 位）
Pr120=2（奇偶检验，2 表示偶校验）
Pr123=9999（PU通讯等待时间设定）
Pr124=1（PU通讯有无CR/LF选择）
Pr549=0（协议选择）
变频器有三个模式：PU、EXT、NET（网络模式）
Pr79=0
Pr340=10（当Pr79=0，Pr340=10时，按PU面板上的PU/EXT键会在PU模式与NET模式之间切换）
其实变频器复位后只需要设置Pr117的参数，因为其他参数都可以用程序来设置。下面的例程会用代码来控制切换网络模式。
注意：当出现E.PUE报警（PU脱离）时，请把Pr121、Pr122都设置为9999，如果还不行就检查通讯线部分。
碳化硅的热传导率约为单晶硅的三倍，有效提高了散热能力。
搭载SiC-MOSFET，能够满足高频化应用（40kHz）要求，电抗器、散热器等周边配套部件的小型化有助于降低成本
内置双升压斩波电路，能够实现交错并联控制
与超小型DIPIPM相同封装，与逆变电路共用散热器时，无需额外调整两者的高度，安装更加方便
内部模块图（全SiC DIPPFC）
内部模块图（全SiC DIPPFCTM）
功率损耗比较
功率损耗比较
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工业用 1200V/75A混合/全SiC IPM的优点
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