科研设备 科研仪器设备 科研专用加热设备 晨立设计定制
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高真空退火炉--高温扩散炉-氧化科研炉-晨立电子
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供大规模集成电路、MEMS 生产线用做6"硅片的合金、氧化、退火、烧结、扩散等工艺使用。同时也可下沉工艺，完成4寸wafer 的相应工艺。
一、设备结构:
1、操作方式:左(右)手操作方式
2、硅片尺寸:圆形6寸片
3、工艺布局:满足客户工艺要求
4、自动化程度:工控机控制系统自动控制工艺流程
5、送取片方式:手动进出舟。
6、外形:主机1台，主机架为卧式两管。
二、主要技术参数:
1、加热炉管有效口径:满足6英寸硅片。可向下兼容5寸和4寸硅片。
2、工作温度范围:上管:600~1400℃
下管:200~500℃
3、恒温区长度及精度:600mm，
上管:800-1400℃.±0.2℃/24h
下管:200-500℃.±0.2℃/24h
4、控制方式:由工控机统一管理工艺
5、气路设置:每管两路气体:氮气100L/min.氩气100L/min。均采用MFC自动控制流量大小。
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