规格
产品属性 | 属性值 | 搜索类似 |
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制造商: | Infineon | |
产品种类: | IGBT 模块 | |
产品: | IGBT Silicon Modules | |
配置: | Dual Dual Collector Dual Emitter | |
集电极—发射极电压 VCEO: | 1700 V | |
在25 C的连续集电极电流: | 900 A | |
封装 / 箱体: | IHM130 | |
小工作温度: | - 40 C | |
工作温度: | + 125 C | |
封装: | Tray | |
高度: | 38 mm | |
长度: | 140 mm | |
技术: | Si | |
宽度: | 130 mm | |
商标: | Infineon Technologies | |
安装风格: | SMD/SMT | |
栅极/发射极电压: | 20 V | |
产品类型: | IGBT Modules | |
工厂包装数量: | 2 | |
子类别: | IGBTs | |
零件号别名: | FF600R17KE3NOSA1 SP000100584 FF600R17KE3NOSA1 |