PlasmaPro 80 RIE
PlasmaPro 80是一种结构紧凑、小尺寸且使用方便的直开式系统,可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置,便于使用,且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸,是研究和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电极冷却和***衬底温度控制来实现高质量的工艺。
直开式设计允许快速装卸晶圆
***刻蚀控制和速率测定
***晶圆温度均匀性
晶圆可达200mm
购置成本低
符合半导体行业 S2 / S8标准
应用:
III-V族材料刻蚀工艺
硅 Bosch和***温刻蚀工艺
类金刚石(DLC)沉积
二氧化硅和石英刻蚀
用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺,可处理封装好的芯片, 裸晶片,以及200mm晶圆
用于高亮度LED生产的硬掩模的刻蚀
特点:
小型系统 —— 易于安置
优化的电极冷却系统 —— 衬底温度控制
高导通的径向(轴对称)抽气结构 —— 确保能提升工艺均匀性和速率
增加<500毫秒的数据记录功能 —— 可追溯腔室和工艺条件的历史记录
近距离耦合涡轮泵 —— 抽速高迅速达到所要求的低真空度
关键部件容易触及 ——系统维护变得直接简单
X20控制系统——大幅提高了数据信息处理能力, 并且可以实现更快更可重复的匹配
通过前端软件进行设备故障诊断 —— 故障诊断速度快
用干涉法进行激光终点监测 —— 在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 (例如硅上的氧化物),或者用反射法来确定非透明材料(如金属)的边界
用发射光谱(OES)实现较大样品或批量工艺的终点监测 —— 监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化,以及用于腔室清洗的终点监测