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刻蚀机 PlasmaPro 80 RIE反应离子刻蚀系统

参数
  • 英国进口产品特性
  • 加工定制
  • Oxford品牌
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上海耀他科技有限公司
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PlasmaPro 80 RIE

PlasmaPro 80是一种结构紧凑、小尺寸且使用方便的直开式系统,可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置,便于使用,且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸,是研究和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电极冷却和***衬底温度控制来实现高质量的工艺。


  • 直开式设计允许快速装卸晶圆

  • ***刻蚀控制和速率测定

  • ***晶圆温度均匀性

  • 晶圆可达200mm

  • 购置成本低

  • 符合半导体行业 S2 / S8标准


应用:

  • III-V族材料刻蚀工艺

  • 硅 Bosch和***温刻蚀工艺

  • 类金刚石(DLC)沉积

  • 二氧化硅和石英刻蚀

  • 用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺,可处理封装好的芯片, 裸晶片,以及200mm晶圆

  • 用于高亮度LED生产的硬掩模的刻蚀


特点:

  • 小型系统 —— 易于安置

  • 优化的电极冷却系统 —— 衬底温度控制

  • 高导通的径向(轴对称)抽气结构 —— 确保能提升工艺均匀性和速率

  • 增加<500毫秒的数据记录功能 —— 可追溯腔室和工艺条件的历史记录

  • 近距离耦合涡轮泵 —— 抽速高迅速达到所要求的低真空度

  • 关键部件容易触及 ——系统维护变得直接简单

  • X20控制系统——大幅提高了数据信息处理能力, 并且可以实现更快更可重复的匹配

  • 通过前端软件进行设备故障诊断 —— 故障诊断速度快

  • 用干涉法进行激光终点监测 —— 在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 (例如硅上的氧化物),或者用反射法来确定非透明材料(如金属)的边界

  • 用发射光谱(OES)实现较大样品或批量工艺的终点监测 —— 监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化,以及用于腔室清洗的终点监测


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