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CPSY商宇S850后备式UPS不间断电源800VA480W内置蓄电池更换维修
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另一方面还可能出现一个开关还未断开而另一个开关已经接通的情况，这就造成在转换过程中V与Vz并联向负载供电的现象。如果此时V与V2同步，则VI与Vz间无环流电流，否则V与V2间将产生环流，环流严重时可导致转换开关损坏或逆变器故障。
鉴于上述原因，在转换开关实现V与Vz相互切换时，要求V与Vz先实现同步然后再切换。但是，即便是 UPS中设置了锁相同步环节，也很难实现V，与V2的完全同步，于是仍有可能出现切换瞬间的环流或切换瞬间负载端呈现很高的感应电压。无论是出现环流或负载端呈现高压均可造成转换开关及逆变器的损坏，因此在负载电流过零瞬间转换。以上两个条件就是实现市电与UPS逆变器输出相互安全转换的条件品然说 UPS 中转换开关的安全切换条件被满足后，会使系统的可靠性提高，但有进产品或因输出功率很小或因产品成本的原因而没有完全达到安全切换条件，尤其是ゅ大部分后备式 UPS产品均不具备这种安全切换条件，这一点用户在选购产品时应子以注意。
5.2.2转换开关的种类
转换开关因采用的执行转换元件不同而分为三种，机械式、电子式和混合式
(1)机械式
机械式转换开关的执行元件多为继电器或接触器等电磁元件，其特点是控制线路简单和故障率低，但切换时间长、开关寿命较短。
CPSY商宇S850后备式UPS不间断电源800VA480W内置蓄电池更换维修
CPSY商宇S850后备式UPS不间断电源800VA480W内置蓄电池更换维修
| S系列后备式 S400-S850 | ||||
| 型号 | S400 / S450 | S500 / S550 | S600 / S650 | S800 / S850 |
| 额定容量 | 400VA / 240 W | 500VA / 300 W | 600VA / 360 W | 800VA / 480 W |
| 输入 | ||||
| 输入电压范围 | 162-290VAC | |||
| 频率范围 | 45-55HZ | |||
| 输出 | ||||
| 电压范围 | 220 x (10%)VAC 电池模式 | |||
| 频率范围 | 与电网同步(市区电模式) 50HZ±1HZ(电池模式) | |||
| 负载功因 | 0.6 | |||
| 电池 | ||||
| 电池类型 | 阀控式免维护铅酸蓄电池（电解质悬浮） | |||
| 备用时间 | ≥5分钟，半载 | |||
| 额定电压 | 12V/7AH*1 | 12V/7AH*1 | 12V/7AH*1 | 12V/9AH*1 |
| 充电时间 | 6 小时充至 90%容量 | |||
| 转换时间 | 4-8 ms | |||
| 指示灯说明 | ||||
| LCD 显示 | 负载大小, 电池容量,市电模式,电池模式, 旁路模式, 故障指示 | |||
| LED 显示 | 市电模式 | 绿灯亮 | ||
| 电池模式 | 绿灯闪 | |||
| 错误 | 无 | |||
| 警告声音 | ||||
| 电池模式 | 每 10 秒响一声 | |||
| 电池电量低 | 每 1 秒响一声 | |||
| 过载 | 每 0.5 秒响一声 | |||
| 错误 | 连续鸣响 | |||
| 其他 | ||||
| 操作环境 | 湿度 0%-90% 温度 0°C-40°C | |||
| 噪声 | <40dB @ 距离 1 米 | |||
| 通讯接口 | 选配 RS232、RJ45 | |||
| LED 机型 | 尺寸,D*W*H | 284*100*140 | ||
| 净重 (KG) | 4.2 | 4.5 | 4.5 | 5.1 |
| LCD 机型 | 尺寸,D*W*H | 284*100*140 | ||
| 净重 (KG) | 4.2 | 4.5 | 4.5 | 5.1 |
| 使用环境 | ||||
| 湿度 | 10-90% 湿度且 0-40°C 温度 | |||
| 噪音 | 小于 40dB | |||
| *1 S400 S500 S600 S800 为LED显示型号 | ||||
| S450 S550 S650 S850 为LCD显示型号 | ||||
| *2：以上产品性能数据由商宇基于受控环境测试记录，实际参数以我司出具的参数确认函为准。 | ||||
| *3：产品规格有所变更时，并不另行通知，敬请见谅。 | ||||
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开通时间c分为延时时间t和上升时间:，两部分，ton与功率MOSFET的开启电压UGs(th)和输入电容Cis有关，并受信号源的上升时间和内阻的影响。关断时间to可分为储存时间:、和下降时间t两部分，to 则由功率MOSFET漏源间电容CDs和负载电阻决定。通常功率MOSFET的开关时间为10~100ns,而双极型器件的开关时间则以微秒计，甚至达到几十微秒。
2.3.3 主要参数
流在负田
(1)通态电阻Ron
通态电阻Ro是与输出特性密切相关的参数，是指在确定的栅源电压Ucs下，功率MOSFET由可调电阻区进入饱和区时的集射极间的直流电阻。它是影响输出功率的重要参数。在开关电路中它决定了输出电压幅度和自身损耗大小。
在相同的条件下，耐压等级愈高的器件，其通态电阻愈大，且器件的通态压降愈大。这也是功率MOSFET电压难以提高的原因之一。
由于功率MOSFET的通态电阻具有正电阻温度系数，当电流增大时，附加发热使Ran
增大，对电流的增加有抑制作用。
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(2)开启电压Ucs(th)
开启电压UcS(t为转移特性曲线与横坐标交点处的电压值，又称阈值电压。在实际应用中，通常将漏栅短接条件下ID等于1mA时的栅极电压定义为开启电压Ucs(tb,它随结温升高而下降，具有负的温度系数。
(3)跨导gm
跨导定义为g-△Ip/AUcs,即为转移特性的斜率，单位为西门子(S).8表示功率MOSFET的放大能力，故跨导gm的作用与GTR 中电流增益相似。
(4)漏源击穿电压BUps
漏源击穿电压BUDs决定了功率MOSFET的工作电压，它是为了避免器件进入雪崩区而设的极限参数。BUps主要取决于漏区外延层的电阻率、厚度及其均匀性。由于电阻
率随温度不同而变化，因此当结温升高，BUps随之增大，耐压提高。这与双极型器件长GTR和晶闸管等随结温升高耐压降低的特性恰好相反。
(5)栅源击穿电压BUes
栅源击穿电压BUcs是为了防止绝缘栅层因栅漏电压过高而发生介电击穿而设定的数。一般栅源电压的极限值为士20V。
(6)功耗PpM
依次做下述测量，1将万用表置然后将红表笔接漏PDM=(T3M-Tc)/RrC 功率MOSFET功耗为式中，TM为额定结温(TjM=150℃);Tc为管壳温度；RTjc为结到壳间的稳态热阻由上式可见，器件的耗散功率与管壳温度有关。在TjM和 RTjC为定值的条件下PDM将随Tc的增高而下降，因此，器件在使用中散热条件是十分重要的。
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(7)漏极连续电流Ip和漏极峰值电流I DM
漏极连续电流ID和漏极峰值电流I pM表征功率MOSFET的电流容量，它们主要受线温的限制，功率MOSFET允许的漏极连续电流Ip是
ID=√PDM/Ron=√(TM一Tc)/RonRTiC
实际上功率MOSFET的漏极连续电流Ip通常没有直接的用处，仅是作为一个基准这是因为许多实际应用的MOSFET是工作在开关状态中，因此在非直流或脉冲工作情况，其漏极电流由额定峰值电流I DM定义。只要不超过额定结温，峰值电流I DM可以超过续电流。在25℃时，大多数功率MOSFET的IDM大约是连续电流额定值的2~4倍。
此外值得注意的是:随着结温T升高，实际允许的ID和I DM均会下降。如型号为
IRF330的功率MOSFET，当Tc=25℃时，Ip为5.***,当Tc=100℃时，ID为3.3A 所以在选择器件时必须根据实际工作情况考虑裕量，防止器件在温度升高时，漏极电流降低而损坏。
图2- 先用导接近无穷大，紧接上开，相当于给明跨导值越高较小。具体测紧接上一下，给栅极短接后肤。
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