特价库存 AIG32TQ14D AIG32TQ15D
¥1500.00
特价库存 CCC) CE CE) CFL COM common
¥1500.00
特价库存 AFP-XHC60R-F AFPXHC60T
¥1500.00
特价库存 SGDM-20ADA SGDM-30ADA
¥1500.00
特价库存 MSMD042P1U MSMD042P1V
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特价库存 BFV70374FP BFV80554Z
¥1500.00
中国（上海）自由贸易试验区临港新片区管委会副吴晓华对伦茨集团研发和应用技术中心迁驻临港表示热烈欢迎。
有着优异特性的碳化硅 高温操作
高温操作
碳化硅的热传导率约为单晶硅的三倍，有效提高了散热能力。
通过采用将pn结和肖特基结合为一体的JBS结构，实现了高耐浪涌能力。低损耗、高度可靠的SBD有助于电源系统向低功耗、小型化方向发展。
得益于内置三相整流器，逆变器和制动器电路（CIB）的新产品加入，使得变频器器的设计大为简化
与本公司现有模块相比，CIB模块使得紧凑型变频器外型尺寸约可减小36%
搭载新推出的采用CSTBT?*1结构的第7代IGBT和采用RFC*2结构的二管，能够减少功率损耗
而新型封装结构可减少焊接层，提高热循环寿命，有助于提高工业设备的可靠性
新型的压接端子和PC-TIM*3，能够简化工业设备组装工艺
*1
CSTBT?：本公司利用载流子储存效应研发的IGBT
*2
RFC: Relaxed Field of cathode
*3
PC-TIM: Phase Change - thermal Interface Material (相变热界面材料)
采用新型结构，可靠性提高（热循环寿命提高）
采用新型结构，可靠性提高（热循环寿命提高）
匹配压配合端子（NX型）
可选择控制端子形状（焊接端子/压配合端子）
焊接工艺减少
匹配压配合端子（NX型）
Featured Products
3级变频器用功率模块
Power Modules for 3-level Inverters
兼容3电平逆变器，功耗约减少30%*1
开发了新型封装*2，有助于减少杂散电感，简化变频器电路结构
研发了体积小，低电感的新型封装以优化IGBT规格*3
产品阵容包括4in1*4/1in1/2in1*5形式，有利于变频器的小型化，可提高设计自由度
*1
搭载本产品的3电平逆变器与搭载本公司已有产品的2电平逆变器相比
*2
1in1/2in1产品的外型尺寸为130mm×67mm，4in1型外型尺寸为115mm×82mm，端子位置精心设计
*3
按照3电平逆变器的要求，对采用本公司CSTBT?（本公司利用载流子蓄电效果开发的IGBT）结构的IGBT规格进行优化
*4
4in1模块将3电平逆变器所需的1相结构封装在一个器件内
*5
共射连接的双向开关模块
内部电路图
内部电路图
特性参数表
适用于各种用途的SiC-SBD
与已有产品*相比，功率损耗减少30％
适合铁路应用的高可靠设计
与已有产品*兼容封装，可替换
*
: 本公司生产的功率模块CM1200DC-34N
主要规格
Module Max.operating temperature 150℃
Isolation voltage 4000Vrms
Si-IGBT
@150℃ Collector-emitter saturation voltage 2.3V
Switching loss
850V/1200V turn-on 140mJ
turn-off 390mJ
SiC-SBD
@150℃ Emitter-collector voltage 2.3V
Capacitive charge 9.0μC
内部模块图
内部模块图
功率损耗比较
功率损耗比较
三菱电机的碳化硅(SiC)功率器件的研发与搭载该器件的产品
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